レーザーテック株式会社 対処すべき課題 (2016年6月期)

当社は、2010年6月期より9カ年の新中期経営計画を推進中で、次期(2017年6月期)は、そのフェーズⅡの2年目になります。フェーズⅡでは、コアビジネスの更なる強化と、新規事業の基盤を確立することを方針に掲げ、成長戦略を進めてまいりました。次期は、下記のような課題に取り組みます。
① コアビジネスの強化
フォトマスク欠陥検査装置は、装置性能を向上させ、国内および海外のサポート力、営業力を強化することで競争力を高め、最先端の10nmノード以降の市場でシェア増大を図ります。
② 新規事業の基盤を確立
フェーズⅠで発表し既に実績を上げてきたリソグラフィプロセス検査装置をはじめ、半導体ウェハ関連の検査・計測装置のラインアップを充実させ、今後の成長に向けた基盤づくりを進めます。半導体マスク関連製品では、次世代の露光技術であるEUVL(Extreme Ultraviolet Lithography,極端紫外線リソグラフィ)への対応を着実に進めます。また新しい柱となる新規事業を見出すべく、積極的に市場の新たなニーズを発掘していきます。
当社は、2019年6月期からの3カ年をフェーズⅢと新たに位置付け、この時期にEUVL関連の新製品やウェハ関連の新規事業を大きく業績へ貢献させることで、飛躍を目指してまいります。