日本インター株式会社 研究開発活動 (2015年3月期)

当社グループ(当社及び連結子会社)の研究開発活動の目的は、エレクトロニクス機器の小型・薄型化、高効率化、低ノイズ化、及び低コスト化を実現するパワー半導体製品の開発であり、その適応領域は小型の携帯端末から大型の産業機器に至るまで多岐にわたっております。今後、需要が大きく期待できる太陽光発電や燃料電池用パワーコンディショナーの高効率化、ハイブリッド車や電気自動車に要求される高信頼性等に着目し、研究開発活動を進めて参ります。また、低炭素社会の実現や省エネルギー化に向け、次世代半導体であるGaNやSiCを搭載したモジュール開発への取り組みを開始いたしました。
・ディスクリート事業
① ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)については、175℃保証するPtバリア品のラインナップを充実させ、今年度の量産化を目指します。
② 外部電源の効率規制に対応すべく、トレンチ技術を活用した低損失SBDの開発に着手いたしました。
③ スマートフォン、タブレット向けに、小型・薄型パッケージ技術を採用したTO277外形のシリーズ開発が完了し、今年度より量産出荷を開始いたします。
④ 車載市場の更なる獲得に向け、AEC Q101準拠した高信頼性製品の開発に着手いたします。TO247、TO252シリーズ品としてラインナップの充実を目指します。
・モジュール事業
① 電力変換器のコストダウンは必須の課題となっており、ローコストダイオードチップを搭載したグローバル互換外形のダイオードモジュールの開発に着手いたしました。シリーズ品としてラインナップを充実させ、今年度の量産化を目指します。
② EV/HEV市場向けに、放熱フィンと水路を一体化する技術を採用した水冷フィン一体型モジュール製品の実現化に向けた開発を継続して進めております。この技術の採用によりモジュール取り付け部からの水漏れリスクが皆無になるとともに、更なる熱抵抗の低減が可能となりました。
③ 汎用インバータ向けに開発を進めておりました、標準IGBTモジュール650Vシリーズのモデルチェンジ開発が完了し量産出荷を開始いたします。本新製品に関しましては、最新世代IGBTチップの採用及びパッケージの改良により、コスト、性能の両面で市場競争力のある製品になっております。
④ 650Vシリーズに続き、標準IGBTモジュール1200Vシリーズのモデルチェンジ開発に着手いたします。こちらも最新世代IGBTチップの採用及びパッケージの改良により、コストと性能の両面で市場競争力のある製品を目指します。
⑤ 省エネルギー化のニーズに応えるため、電力変換器の効率を飛躍的に向上できると期待される次世代超高速スイッチングデバイスである、GaNやSiCを搭載したパワーモジュールの開発に着手いたしました。
今後とも、市場の声に一層耳を傾けパワーエレクトロニクスの発展に貢献すべく、パワー半導体の研究活動を進めてまいります。なお、当連結会計年度は研究開発費として6億21百万円を投入いたしました。