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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100R7O5 (EDINETへの外部リンク)

有価証券報告書抜粋 株式会社キョウデン 研究開発活動 (2023年3月期)


事業等のリスクメニュー株式の総数等

当社グループは、プリント配線板の製造技術、工業材料事業に関する機能性材料や高付加価値加工製品等の研究開発をしております。
当連結会計年度における研究開発費は359百万円でありますが、各セグメント別の研究の内容及び研究開発費は次のとおりであります。

(1)電子事業
電子事業においては、5G基地局用パワー半導体モジュールなどの放熱対策に最適な高速厚銅めっき工法による高周波高放熱基板を開発しました。大阪事業所において培ってきたFACT(FKD's Advanced Chemical technology)技術を活用した新しい銅めっき技術で、パワー半導体等の放熱部品の直下を厚さ400μm(0.4mm)の任意の形状の高速銅めっきで充填して、熱伝導の高い銅でダイレクトに基板下部に接続され放熱される構造です。主に5G基地局用パワーアンプ、パワー半導体用途で、従来の放熱基板では対応が困難な高放熱、高周波対策も可能となっており、当該工法を生かした高周波高放熱基板の開発を進めております。
なお、当セグメントの研究開発費は206百万円であります。

(2)工業材料事業
工業材料事業においては、長年に亘り蓄積してきた無機鉱物に関するノウハウ、人材や鉱物の粉砕、混合、成形、焼成の各種技術・設備などを生かせる領域に的を絞り、顧客ニーズに応じた既存製品の改良、各種機能性材料や土木建築材料等の研究開発に取り組んでおります。
なお、当セグメントの研究開発費は153百万円であります。

事業等のリスク株式の総数等


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E02035] S100R7O5)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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