株式会社ニューフレアテクノロジー 研究開発活動 (2015年3月期)

(1) 研究開発活動の基本方針
当社は、LSI(大規模集積回路)の進歩による人類と社会の発展に寄与するため、まず直接の顧客である半導体デバイスメーカー等に対して、より高性能かつ安定的な稼動や操作性の向上等を重視した装置の開発を行なうとともに、産官学等との協力による効率的な研究開発活動を実施することを基本方針としております。
また、主要顧客との密接な情報交換及び半導体技術動向の調査分析等を綿密に行なうことで最先端の新製品をタイムリーに市場に投入しております。さらに、継続的な先端技術力を維持、増強するために中核的な要素技術については、中長期的な技術動向を見越した先行的な研究開発に注力しております。
(2) 研究開発活動の体制
当社の研究開発体制は、電子ビームマスク描画装置、マスク検査装置、エピタキシャル成長装置の各装置群によって大別され、各技術部門を中心に研究開発を行っております。
(3) 研究開発の取り組み状況
①電子ビームマスク描画装置
LSIは年々微細化されており、2年ないし3年ごとに回路パターンの線幅が0.7倍ずつ縮小されると共に回路規模が2倍になります。それに対応して、LSIの製造には、より高精度のフォトマスク(回路パターンの原版)、及びそれを製造するためのより高精度の電子ビームマスク描画装置を必要とします。当社では、電子ビーム制御、精密機械設計、大容量データ処理等の様々な分野での先端技術開発力を維持するために、当社の顧客その他との共同開発や人員の増強等に積極的に取組んでおります。
②マスク検査装置
LSIの世代の進歩とともにフォトマスクに描画される回路パターンの微細化、複雑化が進んでおります。こうした中、パターン欠陥の検出精度の向上が求められています。当社では大容量の回路パターンデータ処理技術の高度化、検査アルゴリズムの複雑化への対応、さらには検査装置のスキャナー系の高解像度化や欠陥検出の高精度化に取組んでおります。
③エピタキシャル成長装置
近年LED(発光ダイオード)は、照明や車載機器など様々な用途で需要が拡大しています。また、ハイブリッド車の電源制御用途等に代表されるように、より高耐圧のパワー半導体への期待が高まっています。いずれの場合も、”良質”なエピタキシャル結晶膜を、”高速”に成長させることが重要な課題の一つです。当社では、従来よりも膜質、膜厚均一性が良好で、かつ生産性(Cost of Ownership)の優れた装置を開発ターゲットとして(シリコン、シリコンカーバイド、窒化ガリウム等)エピタキシャル成長装置の研究開発活動に取組んでおります。
(4)研究開発費
当連結会計年度の研究開発費は、5,585,737千円を計上いたしました。