石原ケミカル株式会社 研究開発活動 (2015年3月期)

当社は、ユーザーニーズに即応した製品を研究・開発し、顧客に満足していただける製品を提供することを基本方針とし、活動の方針は次のとおりであります。
(1)ユーザーニーズに合致した製品の開発
(2)高品質、高付加価値製品の開発
(3)環境に配慮した製品開発
第77期の研究人員は、81名で研究開発費として940百万円を投入しました。セグメント別研究開発費の内訳は、金属表面処理剤及び機器等584百万円、電子材料263百万円、自動車用品化学製品等92百万円であります。

主な研究開発

(1)半導体ウェハー接合用錫系バンプめっき液および銅ピラー形成用電気銅めっき液の開発
半導体ウェハーは、スマートフォンやタブレット端末の普及に伴い錫系バンプ電極品が加速的に増加しており、バンプ電極形成用めっきのニーズも多様化しております。
当社は、これらのニーズに応えるため、高性能錫―銀プロセス等および次世代接合材料の開発を行っております。また、さらなる高密度化対応として、錫系バンプ電極下部に施すピラー形成用電気銅めっきプロセスの開発を行っております。
(2)プリント基板用電気銅めっき液の開発
近年、電子部品を搭載するプリント基板は、高密度化、高機能化が進んでおり、このような性能の要求において、電気銅めっき法によるビアフィリングが重要な技術となっており、量産性のあるビアフィリング性に優れた電気銅めっき液の開発を行っております。
また、近年、被めっき物の薄板化傾向があり、薄い被めっき物に銅めっきを施す場合、めっき皮膜の応力により被めっき物が反り返る問題があります。当社は、このような問題に対応するため、低応力電気銅めっきプロセスの開発を行っております。
(3)次世代パッケージ基板用錫系めっき液の開発
半導体ウェハーのバンプ電極品の増大に伴い、そのウェハーを搭載する次世代のパッケージ基板に錫系めっきの要求があります。必要なめっき性能としてビアフィリング性やリフロー性が挙げられますが、従来の錫系めっきではビアフィリングができません。そこで、これまでの錫系めっきと電気銅めっきの知見と経験を基に次世代パッケージ基板用純錫および錫―銅プロセスの開発を行っております。
(注)ビアフィリング(Via Filling):絶縁層と貫通する(Via)と呼ばれる小孔の内部をめっきや導電ペーストを用いて導体で充填し、上下の導体間の層間接続を行う手法です。
銅ピラー:半導体に形成する銅めっき柱状物(piller)のことで、その上部にSn系めっきを施し、半導体と実装基板との接合信頼性を向上する手法です。


・導電性ナノインクの製造開発
印刷により電子回路を製造するプリンテッドエレクトロニクス(PE)は、製造プロセスの簡略化、高い生産性、省資源であることから、大幅な製造コストの削減が期待される技術であり、タッチパネル、アンテナ、有機半導体、太陽電池など様々な製品への適用が検討されております。
当社は、金属ナノ粉の製造技術と導電性銅ナノインクを開発し、室温、大気下でフラッシュ光により、短時間(1秒以下)で焼成可能な金属配線形成プロセスの技術開発を行っております。低粘度のインクジェット印刷用インクとその焼成プロセスを確立し、ユーザー様にインクサンプルを出荷し評価を受けております。また、比較的粘度の高いグラビアオフセット印刷用インクを検討し、試作品の出荷に向けて評価を行っております。現在、電子回路やディスプレイに用いられるポリイミドやガラス基材上で低抵抗な銅回路形成が可能となり、更に、低コスト化が期待できるPETやPENなどの低耐熱性基材上での回路形成について検討を行っており、今後、PE分野での様々な用途展開が期待されます。
(注)PET:ポリエチレンテレフタレート、電子部材として利用されている。
PEN:ポリエチレンナフタレート、PETよりも耐熱性が高く電子部材として利用されている。