有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S10037VX
サムコ 株式会社 研究開発活動 (2014年7月期)
事業等のリスクメニュー財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析
当社は、「薄膜技術で世界の産業科学に貢献する」ことを経営理念としており、「創造性を重視し、常に独創的な薄膜製造、加工技術を世界の市場に送る」「ユーザーニーズに対応した製品をタイムリーに提供する」ことを経営の基本方針としております。この目標達成のため、技術革新の著しい半導体等電子部品業界の基礎研究から応用研究まで、幅広い研究開発に取り組んでおります。
本社研究開発センターは、装置開発の活性化を目的とした複数のテーマ別にプロジェクトを運営しており、その都度メンバーの変更、他部門への出向等を積極的に行っており、主に、装置の改良、改善、営業支援のためのデモ実験等を行っております。また、米国オプトフィルムス研究所では、新たな半導体材料に係る基礎研究を行っております。一方、社外との共同研究も積極的に実施しており、有望なテーマがあれば、大学等の研究機関と共同研究を行っております。なお、2000年1月より英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所内にある当社英国ケンブリッジ大学内研究所に社員を常駐派遣し、酸化物半導体に関する基礎研究を行っております。
当事業年度における研究開発活動の成果は、次のとおりであります。
(1)SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置「RIE-600ⅰPC」の開発、販売を開始
2013年10月、車載機器や鉄道のみならず、電力インフラ、スマートグリッドなどの分野に一層拡大が期待される次世代パワーデバイスの一つである炭化ケイ素(SiC)用の本格量産用ドライエッチング装置の新製品「RIE-600ⅰPC」の開発、販売を開始いたしました。
炭化ケイ素(SiC)はワイドバンドギャップ半導体として高耐圧、優れた耐熱特性を有しており、特に自動車や鉄道、産業機器のスイッチング素子向けの次世代パワーデバイスの材料として、需要の大きな伸びが見込まれておりますが、加工においては加工速度と加工形状の両立が難しい等の課題がありました。ドライエッチング装置「RIE-600ⅰP」は、従来のトルネードコイルに改良を加えた新型トルネードコイルや下部電極昇降ユニット、大容量排気システムの採用により、高真空下で1kWの高周波を安定印加し、高速で均一性よく、幅広いプロセスウィンドウを実現いたしました。当装置は、SiCパワーデバイス製造工程におけるプレナー加工のみならず、微細なトレンチMOS構造やビアホール加工及びこれらのマスクに用いられる酸化ケイ素(SⅰO2)マスク加工に用いることができます。このほか、各種センサーの製作や医療分野への応用が拡大しているマイクロ流路などのMEMSプロセス向けの石英基板の高速、高精度エッチングにも対応することが可能であります。
当装置は、2012年11月に業界に先駆けて市場投入したSiC加工専用の研究/セミ量産用のドライエッチング装置「RIE-600ⅰP」に真空カセット室を加えた本格量産用装置であり、1カセットでφ6インチウエハーを最大25枚収納し、自動処理が可能であるため生産性が大幅に向上しております。SiCパワーデバイス製造工程におけるプレナー加工のみならず、微細なトレンチMOS構造やビアホール加工及びこれらのマスクに用いられる酸化ケイ素(SⅰO2)マスク加工に用いることができます。
(2)MEMS向け本格量産用ドライエッチング装置「RIE-800ⅰPBC」の開発、販売を開始
2013年11月、信頼性が高く評価されている高速シリコンディープエッチング装置の研究/セミ量産用「RIE
-800ⅰPB」に真空カセット室とアライメント室を加えた本格量産用装置であるドライエッチング装置「RIE-800ⅰPBC」の開発、販売を開始いたしました。
当装置は、φ8インチウエハーまでに対応しており、エッチングレート50μm/min以上、均一性±3%以下を実現し、低スカロップ加工やSOI(Silicon on Insulator)基板加工のノッチフリープロセスが可能であります。量産用装置としてメンテナンス性に優れた設計になっており、反応室内部材の取り出しと交換を容易に行え、高周波電源やターボ分子ポンプの交換を安全に行えるようにしております。各種センサー類やインクジェットヘッドなど高速シリコンエッチングを用いるMEMSの応用領域は広がっており、TSV市場の本格的な立ち上がりや医療分野への展開により市場は急拡大が見込まれております。MEMS向け製品では、絶縁膜形成用プラズマCVD装置は研究開発専用装置から本格量産用装置まで既に取り揃えラインナップ化が完成しておりましたが、高速シリコンディープエッチング装置においても、このたびラインアップ化が完成することとなりました。
以上の結果、当事業年度の研究開発費は162百万円となっております。
なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、セグメント毎の記載はしておりません。
本社研究開発センターは、装置開発の活性化を目的とした複数のテーマ別にプロジェクトを運営しており、その都度メンバーの変更、他部門への出向等を積極的に行っており、主に、装置の改良、改善、営業支援のためのデモ実験等を行っております。また、米国オプトフィルムス研究所では、新たな半導体材料に係る基礎研究を行っております。一方、社外との共同研究も積極的に実施しており、有望なテーマがあれば、大学等の研究機関と共同研究を行っております。なお、2000年1月より英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所内にある当社英国ケンブリッジ大学内研究所に社員を常駐派遣し、酸化物半導体に関する基礎研究を行っております。
当事業年度における研究開発活動の成果は、次のとおりであります。
(1)SiCパワーデバイス向け本格量産用ドライエッチング装置「RIE-600ⅰPC」の開発、販売を開始
2013年10月、車載機器や鉄道のみならず、電力インフラ、スマートグリッドなどの分野に一層拡大が期待される次世代パワーデバイスの一つである炭化ケイ素(SiC)用の本格量産用ドライエッチング装置の新製品「RIE-600ⅰPC」の開発、販売を開始いたしました。
炭化ケイ素(SiC)はワイドバンドギャップ半導体として高耐圧、優れた耐熱特性を有しており、特に自動車や鉄道、産業機器のスイッチング素子向けの次世代パワーデバイスの材料として、需要の大きな伸びが見込まれておりますが、加工においては加工速度と加工形状の両立が難しい等の課題がありました。ドライエッチング装置「RIE-600ⅰP」は、従来のトルネードコイルに改良を加えた新型トルネードコイルや下部電極昇降ユニット、大容量排気システムの採用により、高真空下で1kWの高周波を安定印加し、高速で均一性よく、幅広いプロセスウィンドウを実現いたしました。当装置は、SiCパワーデバイス製造工程におけるプレナー加工のみならず、微細なトレンチMOS構造やビアホール加工及びこれらのマスクに用いられる酸化ケイ素(SⅰO2)マスク加工に用いることができます。このほか、各種センサーの製作や医療分野への応用が拡大しているマイクロ流路などのMEMSプロセス向けの石英基板の高速、高精度エッチングにも対応することが可能であります。
当装置は、2012年11月に業界に先駆けて市場投入したSiC加工専用の研究/セミ量産用のドライエッチング装置「RIE-600ⅰP」に真空カセット室を加えた本格量産用装置であり、1カセットでφ6インチウエハーを最大25枚収納し、自動処理が可能であるため生産性が大幅に向上しております。SiCパワーデバイス製造工程におけるプレナー加工のみならず、微細なトレンチMOS構造やビアホール加工及びこれらのマスクに用いられる酸化ケイ素(SⅰO2)マスク加工に用いることができます。
(2)MEMS向け本格量産用ドライエッチング装置「RIE-800ⅰPBC」の開発、販売を開始
2013年11月、信頼性が高く評価されている高速シリコンディープエッチング装置の研究/セミ量産用「RIE
-800ⅰPB」に真空カセット室とアライメント室を加えた本格量産用装置であるドライエッチング装置「RIE-800ⅰPBC」の開発、販売を開始いたしました。
当装置は、φ8インチウエハーまでに対応しており、エッチングレート50μm/min以上、均一性±3%以下を実現し、低スカロップ加工やSOI(Silicon on Insulator)基板加工のノッチフリープロセスが可能であります。量産用装置としてメンテナンス性に優れた設計になっており、反応室内部材の取り出しと交換を容易に行え、高周波電源やターボ分子ポンプの交換を安全に行えるようにしております。各種センサー類やインクジェットヘッドなど高速シリコンエッチングを用いるMEMSの応用領域は広がっており、TSV市場の本格的な立ち上がりや医療分野への展開により市場は急拡大が見込まれております。MEMS向け製品では、絶縁膜形成用プラズマCVD装置は研究開発専用装置から本格量産用装置まで既に取り揃えラインナップ化が完成しておりましたが、高速シリコンディープエッチング装置においても、このたびラインアップ化が完成することとなりました。
以上の結果、当事業年度の研究開発費は162百万円となっております。
なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、セグメント毎の記載はしておりません。
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ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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