レーザーテック株式会社 研究開発活動 (2015年6月期)

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を高いレベルで融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術であり、代表的な製品である半導体フォトマスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査装置、レーザー顕微鏡、及びFPD用大型マスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されております。
新しい製品の開発にあたっては、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことを心がけております。
また既に製品を納入している多くのお客様や各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客様の顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズを正確につかみ、独創的な視点と技術でどこよりも早く問題解決の方法をご提供することが最重要であると考えております。
当社は、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、DUV(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、お客様のニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めております。
(注)DUV:Deep Ultraviolet、遠紫外線

当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりであります。

(1)WASAVIシリーズ ウェハ バンプ検査測定装置BIM300
半導体デバイスのさらなる高性能化に向けて、微細化と並行してシリコン貫通電極(注1)(TSV)などを用いた3次元積層デバイスの開発、量産化に向けての取り組みが進んでいます。
この3次元積層デバイス(注2)の積層工程において、重ね合わせるウェハ上の接点となるバンプ(注3)とパッド間の安定接合の実現が、歩留まり向上のための大変重要な課題となっています。ウェハ表面に形成するバンプを用いたデバイス間の接合は、以前より行われておりましたが、最新の3次元積層デバイスではバンプの微小化が進み、0.1ミクロン程度の精度で高さ・幅などを測長する必要があり、またウェハ薄化後のTSVの露出量なども従来以上の高い精度で測定し、管理することが求められています。
新製品BIM300は、このような課題に対応すべく開発した製品です。当社の永年にわたる工業用レーザー顕微鏡の基本技術に、高精度ステージを組み合わせ、ウェハ表面のカラー画像による高解像度観察を可能にするとともに、バンプの高さ・幅・形状、およびシリコン貫通電極の非接触高精度測定を実現しました。
バンプ形成プロセスの最適化や、ウェハ外周部の検査を含めた薄化プロセス条件の最適化、またTGV(Through Glass Via)のめっきパターン形状測定にも活用できる装置です。
(注1) シリコン貫通電極
デバイス間の信号やり取りのために、デバイスを垂直に貫く電極。従来のワイヤボンディング接続と比較して、デバイスの高速化・省電力化・高機能化が可能。
(注2) 3次元積層デバイス
同種または異種のチップを積層することで、空間集積度を高めたデバイス。特に、チップ間の接続にシリコン貫通電極が用いられたデバイスを呼ぶことが多い。従来の線幅微細化による集積度向上にコスト的・技術的制約が見え始めていることから、近年実用化に向けて盛んに開発されている。
(注3) バンプ
重ね合わされるデバイスと電気的な接続をするために作られたデバイス上の金属電極。安定した電気的接続を実現するために柔らかい金属で作られることが多い。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、11億11百万円であります。
なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。