東京エレクトロン株式会社 研究開発活動 (2015年3月期)

当社グループの研究開発活動は、半導体製造装置、FPD製造装置及び報告セグメントに帰属しない基礎研究又は要素研究等に関するものであります。
なお、当連結会計年度の研究開発費は、前連結会計年度比9.3%減の713億4千9百万円(連結売上高比11.6%)であります。
半導体製造装置事業では、多様化する製造技術へ対応すべく、新製品開発の強化に引き続き努めております。具体的には、コータ/デベロッパ、プラズマエッチング装置、熱処理成膜装置、枚葉成膜装置、洗浄装置、3DI(3次元積層)プロセス装置、ウェーハプローバ等の装置開発として、次世代デバイスから要求される装置・プロセス開発、プロセスの高精度化、装置の高信頼性化、量産化・コスト低減等の開発、装置仕様の標準化、部品・ソフトウエア共通化等の技術開発を推進しております。また、将来のウェーハの大口径化(450mmウェーハ)の要求に備え要素研究にも着手しております。同時に、省エネルギー化の要求に対応するため、装置の省電力化技術等、環境に配慮した技術開発にも注力しております。さらに、次世代の新メモリーMRAM(磁気メモリー)製造に必要な強磁場熱処理技術も加わり、当社グループの他プロセス装置群とインテグレーションを進め、MRAM市場の拡大に対応できる体制を整えております。
FPD製造装置事業では、インクジェット技術を用いた有機ELディスプレイ製造装置の開発などに注力しております。
基礎・要素研究関連では、微細加工のための新しい各種プロセスの技術開発及び評価、新材料に対応したプロセス技術開発等を行っており、また、これらの開発を支える各種の研究を行っております。具体的には、微細加工に必要なプロセス技術として、マルチパターニングに代表される微細加工技術、各種新材料の成膜技術、熱処理技術、洗浄技術、プラズマプロセス装置に不可欠なプラズマ技術、熱処理装置で重要な熱制御技術、開発効率を向上するシミュレーション技術、パーティクルや不純物汚染等を制御するコンタミネーション制御技術等、重要かつ他社との差別化を図る各種コア技術を研究しております。
加えて、国内外の有力大学・各種研究機関等との共同開発を行い、チャレンジングな研究開発を推進しております。近年、最先端のプロセス開発とその性能評価を電気的特性データで検証していくことは必要不可欠となっており、いわゆるプロセスインテグレーション技術として、プロセスモジュール(トランジスタ工程から配線工程まで)の評価を通じての開発を行っております。具体的には、新規プロセス装置評価、新材料の集積可能性検証、将来技術の電気特性データによる開発指針づくり等を行っております。