有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100O51O (EDINETへの外部リンク)
株式会社オキサイド 研究開発活動 (2022年2月期)
当事業年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。
基盤技術開発は、主として光計測・新領域事業において行っております。新製品開発は、主として光計測・新領域事業において、既存製品の改良開発は、光計測・新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。
当事業年度における当社が支出した研究開発費の総額は315百万円であります。
当事業年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。
なお、当社は、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。
(1)基盤技術開発
当社は、当社の保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。
(2)製品開発
当社は、(1)の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。
① 新製品開発
光学技術の応用分野は拡大を続けております。当事業年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野(SiC単結晶、GaN用基板単結晶)に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発に注力しております。
② 既存製品の改良開発
当社にて製品として販売しているレーザのうち、波長が213nm、266nm、532nmについて高出力化した次世代製品の開発を進めております。
製品開発の例
基盤技術開発は、主として光計測・新領域事業において行っております。新製品開発は、主として光計測・新領域事業において、既存製品の改良開発は、光計測・新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。
当事業年度における当社が支出した研究開発費の総額は315百万円であります。
当事業年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。
なお、当社は、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。
(1)基盤技術開発
当社は、当社の保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。
(2)製品開発
当社は、(1)の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。
① 新製品開発
光学技術の応用分野は拡大を続けております。当事業年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野(SiC単結晶、GaN用基板単結晶)に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発に注力しております。
② 既存製品の改良開発
当社にて製品として販売しているレーザのうち、波長が213nm、266nm、532nmについて高出力化した次世代製品の開発を進めております。
製品開発の例
開発中の製品 | 期待される主な用途 | |
単結晶・デバイス | 単結晶固体電池材料 | 医療用ボタン電池、自動車用電池 |
GPS単結晶 | 放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置 | |
アイソレータ用単結晶 | 5G・データセンタ通信用デバイス | |
GaN用基板単結晶 | 可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体 | |
SiC単結晶 | パワー半導体 | |
蛍光体単結晶・デバイス | レーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源 | |
レーザ | CW/QCW213nmレーザ | 半導体検査装置、最先端計測 |
114nmレーザ | 光電子分光 | |
フェムト秒レーザ | 半導体、電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペア | |
マスク描画用レーザ | フォトマスク、露光機 |
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ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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