新電元工業株式会社 研究開発活動 (2024年3月期)

当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。
企業ミッションである「エネルギーの変換効率を極限まで追求することにより、人類と社会に貢献する」のもと、技術開発センターでは当社グループの主要事業領域に新たな技術を移管していく取組みを続けております。半導体デバイス分野においては、低損失技術の開発、高速・高温動作対応および複合部品化の実装技術開発を主要テーマとして取組んでいます。パワーエレクトロニクス分野においては、主に高効率技術、高密度実装技術および低ノイズ化の研究開発を推進しています。これらの研究課題を解決し、当社のコア技術を活かしたシナジー効果により商品力強化を図るとともに、市場の要求や用途に適した新商品をタイムリーに開発してまいります。
当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,611百万円(売上高比5.5%)であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。

(デバイス事業)
当セグメントの研究開発活動として、ダイオードは高性能なファストリカバリーダイオードやブリッジダイオードさらにSiCショットキーバリアダイオードのシリーズ展開の開発を実施しました。さらにウェーハ大口径化かつ低コスト化を実現する新構造の技術開発を継続して推進しています。
MOS製品では、車載用の低ノイズかつ低Ronな新構造第1世代MOSの耐圧やパッケージへのシリーズ展開の開発を実施したほか、第2世代となる新構造の技術開発を実施しました。またSiCMOSのシリーズ展開の開発を実施したほか、SiのMOSとして高耐圧となる1200Vの技術開発及びケルビン端子を搭載する面実装新パッケージの技術開発を実施しました。
パワーモジュール製品では、xEV向けDC/DCコンバータ用のMOSモジュール開発を継続したほか、各種モータのインバータ用のMOSモジュールのシリーズ展開の開発を実施しています。くわえて顧客対応のフルカスタムモジュールやSiCMOSフルブリッジモジュールの開発を推進しています。
IC製品では、内製二輪車用のモータドライバーICの開発を実施したほか、理想ダイオードのマルチチップ化製品の開発を推進しています。
当事業に係る研究開発費は2,121百万円であります。

(電装事業)
当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、内燃機関製品向けにセンサレスモータの駆動制御技術の確立と付加機能としてアシスト制御技術の確立を推進しています。また、電動車向け製品では、PCUのマップレス回生制御技術やサージ低減技術を確立、環境負荷低減のために樹脂モールドレス防水構造の確立を推進しています。
四輪分野では、プラットフォーム技術を取り入れた高電圧入力・高出力電源の開発や付加機能としてプリチャージ機能について技術を確立しました。
汎用分野では、二輪電動車向けバッテリー充電器用に昇高圧PFC技術を確立しました。
共通実装技術では、製品の小型化に寄与する高密度実装技術としてリードレスのBGA、SON、QFNパッケージの採用に向けた実装技術の確立に取組んでいます。更に、シミュレーション技術の向上としてゴム解析や樹脂流動解析に取組むなど、製品開発のフロントローディングに繋がる活動を推進しています。
当事業に係る研究開発費は1,339百万円であります。

(エネルギーシステム事業)
当セグメントの研究開発活動として、EV・PHEV用充電器では、高出力急速充電器の製品ラインナップを拡充すると共に重要顧客向けカスタム対応の開発に取組みました。その他、OCPPネットワークと接続可能な普通充電器を開発しました。
情報・通信市場分野では、高効率・小型化した大容量48V電源ユニット製品の開発を行いました。また、共通技術として監視装置用マイコンプラットフォームとして64bitCPUボード検討と共通ソフトウェアの技術開発に取組みました。
当事業に係る研究開発費は431百万円であります。

(全社共通)
全社共通に係る研究開発費は1,719百万円であります。