有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100VO0S (EDINETへの外部リンク)
トミタ電機株式会社 研究開発活動 (2025年1月期)
A.研究開発活動の体制
当社グループ(当社及び連結子会社)の研究開発活動は主として当社総合技術部において行っております。その主な内容は、フェライト材質開発とフェライトコアの設計・試作及びコイル・トランスの設計開発・試作です。
フェライトに関しては、新材質開発、既存材質の改良を行い、市場ニーズに即した優れた材質を提供してフェライトコアの最適設計に役立っております。EV用として2G5シリーズ、並びに2H4シリーズ、また半導体製造装置用として新規開発したB2Cシリーズ筆頭に各周波数に応じた各種材質を多数採用頂いております。更に世界トップクラスである2Nシリーズは車載・医療・通信・産機・セキュリティーの多分野で、6NシリーズはRFID等の分野で採用頂いております。
コイル・トランスの設計開発に関しては、回路の高密度化・高集積化に伴い小型・効率化に向け、自社フェライトと融合させ研究開発を行っております。
顧客要求及び市場ニーズ対応へのスピードアップを図るべく、研究開発要員の強化並びに試験設備・機器を積極的に導入し、より効果的な研究開発が出来る体制をとっております。
B.今後の新製品、新技法について
EV、AI、RFID、IDC等の先端分野からIoT及び自動運転への応用、並びに電子機器の小型化・高機能化・高周波化に伴う高精度・高性能・広帯域温度特性・省エネ対応として更なる低損失・高飽和磁束密度・高透磁率フェライトコアの開発・改良等を進めております。特に電源トランスは次世代ワイドバンドギャップ半導体の採用による高周波化が加速している状況であり、将来の主流となる可能性を秘めている事より開発に集中しております。また製造方法におきましても、フェライトコアの成型技術・焼成技術・精密加工技術の高度化、低コストの製品設計、試作期間の短縮等を図り顧客の開発スピードに寄与いたしております。
更に、これらの高性能フェライトコアを使用した応用製品である車載用コンバータートランス、トランスポンダーコイル、センサーコイル、医療用電源トランス、産機用センサーコイル、各種SMDトランスの開発等、製品領域の拡大に取り組んでおります。また、EVの電池管理システム向、半導体製造装置のパワーアンプ向、RFID(自動認証)、WPT(非接触充電)用のフェライト製品を開発しており、今後は更に顧客と共同した開発案件を増加させて参ります。
なお、当連結会計年度に支出した研究開発費は、46百万円であります。
また、当社グループの研究開発活動は電子部品材料事業に関するものであります。
当社グループ(当社及び連結子会社)の研究開発活動は主として当社総合技術部において行っております。その主な内容は、フェライト材質開発とフェライトコアの設計・試作及びコイル・トランスの設計開発・試作です。
フェライトに関しては、新材質開発、既存材質の改良を行い、市場ニーズに即した優れた材質を提供してフェライトコアの最適設計に役立っております。EV用として2G5シリーズ、並びに2H4シリーズ、また半導体製造装置用として新規開発したB2Cシリーズ筆頭に各周波数に応じた各種材質を多数採用頂いております。更に世界トップクラスである2Nシリーズは車載・医療・通信・産機・セキュリティーの多分野で、6NシリーズはRFID等の分野で採用頂いております。
コイル・トランスの設計開発に関しては、回路の高密度化・高集積化に伴い小型・効率化に向け、自社フェライトと融合させ研究開発を行っております。
顧客要求及び市場ニーズ対応へのスピードアップを図るべく、研究開発要員の強化並びに試験設備・機器を積極的に導入し、より効果的な研究開発が出来る体制をとっております。
B.今後の新製品、新技法について
EV、AI、RFID、IDC等の先端分野からIoT及び自動運転への応用、並びに電子機器の小型化・高機能化・高周波化に伴う高精度・高性能・広帯域温度特性・省エネ対応として更なる低損失・高飽和磁束密度・高透磁率フェライトコアの開発・改良等を進めております。特に電源トランスは次世代ワイドバンドギャップ半導体の採用による高周波化が加速している状況であり、将来の主流となる可能性を秘めている事より開発に集中しております。また製造方法におきましても、フェライトコアの成型技術・焼成技術・精密加工技術の高度化、低コストの製品設計、試作期間の短縮等を図り顧客の開発スピードに寄与いたしております。
更に、これらの高性能フェライトコアを使用した応用製品である車載用コンバータートランス、トランスポンダーコイル、センサーコイル、医療用電源トランス、産機用センサーコイル、各種SMDトランスの開発等、製品領域の拡大に取り組んでおります。また、EVの電池管理システム向、半導体製造装置のパワーアンプ向、RFID(自動認証)、WPT(非接触充電)用のフェライト製品を開発しており、今後は更に顧客と共同した開発案件を増加させて参ります。
なお、当連結会計年度に支出した研究開発費は、46百万円であります。
また、当社グループの研究開発活動は電子部品材料事業に関するものであります。
このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E02016] S100VO0S)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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