有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S1007ZQ3
ローム株式会社 研究開発活動 (2016年3月期)
事業等のリスクメニュー財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析
ロームグループは、「エレクトロニクスで社会に貢献する」ことを基本理念に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。
当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。
(1)「LSI」における製品開発
・業界で初めて、600V耐圧の高効率ファンモータドライバをフルラインアップ。
・インドアナビで最高性能を実現する新型地磁気センサ(MIセンサ)を開発。
・USB Power Delivery Type-C コントローラICを開発。
・業界で初めて、次世代車載通信規格「CXPI」に対応した汎用トランシーバICを開発。
・80Vクラスの高耐圧DC/DCコンバータ「BD9G341AEFJ」を開発。
・世界で初めて、ロームのリファレンスデザインが最大15Wのワイヤレス給電WPC Qi(※1)認証を取得。
・コイン電池の7万時間駆動を実現するBluetooth Smart用通信IC ML7125を開発。
・Intel社の次世代Core™プロセッサに最適なパワーマネジメントICを開発。
・超高速シリアルバス搭載 強誘電体メモリ(FeRAM MR44V064B/MR45V064B) を開発。
・車載・産業機器に最適な高信頼NOR型フラッシュメモリ「MR29V12852B」を開発。
※1.WPC Qi
WPC(Wireless Power Consortium)が提唱する無接点充電に関する国際規格。
(2)「半導体素子」における製品開発
・高効率のMOSインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ。
・業界最小クラス小型低背のチップLED、PICOLED®のカラーラインアップを15色に拡充。
・世界で初めて、トレンチ構造採用のSiC-MOSFETを開発・量産。
・RASMID®新ラインアップ、TVSダイオード(※2)「VS3V3BxxFSシリーズ」を開発。
※2.TVS(Transient Voltage Suppressor:過渡電圧抑制)ダイオード
瞬間的に発生する電圧や電流から電子回路を保護するダイオードのこと。他の保護ダイオードよりも保護能力が高い。
(3)「モジュール」における製品開発
・業界最高の高画質と高速印字を実現する、新構造サーマルプリントヘッド技術を開発。
・世界で初めて、ローム製特定小電力無線通信モジュールがWi-SUN、HAN(※3)の認証取得。
※3.HAN(Home Area Network)
HEMSコントローラとエアコン、照明などのHEMS機器をつなぐネットワークのこと。
(4)将来に向けての研究開発
・世界で初めて、土壌環境のリアルタイムモニタリングが可能な土壌センサを開発。
当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。
当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。
(1)「LSI」における製品開発
・業界で初めて、600V耐圧の高効率ファンモータドライバをフルラインアップ。
・インドアナビで最高性能を実現する新型地磁気センサ(MIセンサ)を開発。
・USB Power Delivery Type-C コントローラICを開発。
・業界で初めて、次世代車載通信規格「CXPI」に対応した汎用トランシーバICを開発。
・80Vクラスの高耐圧DC/DCコンバータ「BD9G341AEFJ」を開発。
・世界で初めて、ロームのリファレンスデザインが最大15Wのワイヤレス給電WPC Qi(※1)認証を取得。
・コイン電池の7万時間駆動を実現するBluetooth Smart用通信IC ML7125を開発。
・Intel社の次世代Core™プロセッサに最適なパワーマネジメントICを開発。
・超高速シリアルバス搭載 強誘電体メモリ(FeRAM MR44V064B/MR45V064B) を開発。
・車載・産業機器に最適な高信頼NOR型フラッシュメモリ「MR29V12852B」を開発。
※1.WPC Qi
WPC(Wireless Power Consortium)が提唱する無接点充電に関する国際規格。
(2)「半導体素子」における製品開発
・高効率のMOSインテリジェントパワーモジュールを新たにラインアップ。
・業界最小クラス小型低背のチップLED、PICOLED®のカラーラインアップを15色に拡充。
・世界で初めて、トレンチ構造採用のSiC-MOSFETを開発・量産。
・RASMID®新ラインアップ、TVSダイオード(※2)「VS3V3BxxFSシリーズ」を開発。
※2.TVS(Transient Voltage Suppressor:過渡電圧抑制)ダイオード
瞬間的に発生する電圧や電流から電子回路を保護するダイオードのこと。他の保護ダイオードよりも保護能力が高い。
(3)「モジュール」における製品開発
・業界最高の高画質と高速印字を実現する、新構造サーマルプリントヘッド技術を開発。
・世界で初めて、ローム製特定小電力無線通信モジュールがWi-SUN、HAN(※3)の認証取得。
※3.HAN(Home Area Network)
HEMSコントローラとエアコン、照明などのHEMS機器をつなぐネットワークのこと。
(4)将来に向けての研究開発
・世界で初めて、土壌環境のリアルタイムモニタリングが可能な土壌センサを開発。
当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。
セグメントの名称 | 金額(百万円) |
LSI | 29,548 |
半導体素子 | 8,095 |
モジュール | 1,648 |
報告セグメント計 | 39,293 |
その他 | 1,575 |
合計 | 40,868 |
事業等のリスク財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析
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ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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