サムコ　株式会社 研究開発活動 (2016年7月期)

当社は、「薄膜技術で世界の産業科学に貢献する」ことを経営理念としており、「創造性を重視し、常に独創的な薄膜製造、加工技術を世界の市場に送る」、「直販体制を採用し、ユーザーニーズに対応した製品をタイムリーに提供する」、「事業が社会に果す役割を積極的に認識し、高い付加価値の追求を目的とし、株主、取引先、役員、従業員に対し、適切な成果の配分をする」ことを経営の基本方針としております。この目標達成のため、技術革新の著しい半導体等電子部品業界の基礎研究から応用研究まで、幅広い研究開発に取り組んでおります。
本社研究開発センターは、装置開発の活性化を目的とした複数のテーマ別にプロジェクトを運営しており、既存装置の改良、改善、新製品の開発、営業支援のためのデモ実験等を行っております。また、米国オプトフィルムス研究所では、新たな半導体材料に係る基礎研究を行っております。一方、社外との共同研究も積極的に実施しており、有望なテーマがあれば、大学等の研究機関と共同研究を行っております。なお、2000年1月より英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所内にある当社英国ケンブリッジ大学内研究所に社員を派遣し、酸化物半導体に関する基礎研究を行っております。
当事業年度における研究開発活動の成果は、次のとおりであります。
・電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発、販売を開始
2015年12月、省エネルギー効果が大きく、グリーンエレクトロニクスの要として近年期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワー半導体のゲート酸化膜形成用の原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)装置を開発、販売を開始いたしました。ALD装置「AL-1」では、GaN MOSFET、GaN MOSHFET及び4H-SiC MOSFETのゲート酸化膜に最適なピンホールフリーの緻密なアルミナ(AlOx)膜及びSiO2膜の形成が可能です。基板有効径はφ212mmでφ8インチウエハーまで対応しており、φ4インチウエハーの場合3枚の同時処理が可能です。研究開発からセミ量産まで対応しております。
上記活動に伴い、当事業年度の研究開発費は200百万円となっております。
なお、当社は半導体等電子部品製造装置の製造及び販売事業の単一セグメントであるため、セグメント毎の記載はしておりません。