石原ケミカル株式会社 研究開発活動 (2016年3月期)

当社は、ユーザーニーズに即応した製品を研究・開発し、顧客に満足していただける製品を提供することを基本方針とし、活動の方針は次のとおりであります。
(1)ユーザーニーズに合致した製品の開発
(2)高品質、高付加価値製品の開発
(3)環境に配慮した製品開発
第78期の研究人員は、81名で研究開発費として1,012百万円を投入しました。セグメント別研究開発費の内訳は、金属表面処理剤及び機器等650百万円、電子材料274百万円、自動車用品化学製品等87百万円であります。

主な研究開発

(1)半導体ウェハー接合用錫系バンプめっき液および銅ピラー形成用電気銅めっき液の開発
半導体ウェハーは、スマートフォンやタブレット端末の普及に伴い錫系バンプ電極品が加速的に増加しており、バンプ電極形成用めっきのニーズも多様化しております。
当社は、これらのニーズに応えるため、高性能錫―銀めっきプロセス等および次世代接合材料の開発を行っております。また、さらなる高密度化対応として、錫系バンプ電極下部に施すピラー形成用電気銅めっきプロセスの開発を行っており、既に一部のユーザーに採用されております。
(2)電子材料用電気銅めっき液の開発
近年、銅めっきを施す基材の薄板化傾向があり、薄い基材に銅めっきを施す場合、めっき皮膜の応力により基材が反り返る問題があります。当社は、このような問題に対応するため、低応力電気銅めっきプロセスの開発を行っております。
また、スマートフォン等の基地局で使用されるプリント基板の高多層化が進んでおり、高多層基板は配線層を相互に接続するために形成されているスルーホール内に、所定の厚みの電気銅めっきをできるだけ均一に施さなければなりません。当社は、それらの要求に対応する高多層基板用銅めっきの開発を行っております。
(3)次世代パッケージ基板用錫系めっき液の開発
半導体ウェハーのバンプ電極品の増大に伴い、そのウェハーを搭載する次世代のパッケージ基板に錫系めっきの要求があります。必要なめっき性能としてはビアフィリング性やリフロー性が挙げられますが、従来の錫系めっきではビアフィリングができません。そこで、当社はこれまでの錫系めっきと電気銅めっきの知見と経験を基にして、次世代パッケージ基板用純錫および錫―銅めっきプロセスの開発を行っております。
(注)ビアフィリング(Via Filling):絶縁層と貫通する(Via)と呼ばれる小孔の内部をめっきや導電ペーストを用いて導体で充填し、上下の導体間の層間接続を行う手法です。
銅ピラー:半導体に形成する銅めっき柱状物(piller)のことで、その上部にSn系めっきを施し、半導体と実装基板との接合信頼性を向上する手法です。


・導電性銅ナノインクの製造開発
当社では、プリンテッドエレクトロニクス(PE)と呼ばれる印刷法を利用した電子機器の新たな製造方法に適用可能な導電性銅ナノインクを開発しています。この導電性銅ナノインクは、フラッシュ光により室温、大気下で1秒以下の瞬時に導体化可能であり、低抵抗な銅皮膜が得られることを特長としています。現在、低粘度のインクジェット印刷用や、高粘度のグラビアオフセット印刷用のインクの処方検討をおこない、特定のユーザーに試作インクを提供して評価していただき実用化に向けて検討を進めております。また、銅ナノインクの製造プロセスについては、中量産、量産に向けてスケールアップの検討を進めています。