上村工業株式会社 研究開発活動 (2016年3月期)

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。
当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は21億49百万円であります。
(1)表面処理用資材事業
① プリント配線板(PWB)/半導体パッケージ(PKG)対応技術の強化
PWB/PKG関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクスに対応したプロセス等に注力しています。
イ. 最終表面処理関連
従来技術のさらなるレベルアップとともに、一層進むファインパターン化に対応するために銅上直接無電解パラジウム/無電解金(EPIG)プロセス並びに前処理の開発に注力しています。
一方で低コスト要求に応えた低濃度金置換浴の開発にも取り組みました。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、パワーデバイスやロジックデバイスに適合したプロセスの開発を行い、環境にも優しいシアンフリーの置換金浴などを開発しました。加えて、電気貴金属めっきにも注力して開発しております。
ロ. 銅めっき関連
さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、当社独自のダイレクトプロセスやロープロファイル向けの前処理プロセスの開発を継続しています。無電解銅めっき関係では、次世代セミアディティブプロセス(SAP)やトレンチフィリングによるパターンめっきを可能とした浴等を開発しました。電気銅めっき関係では、SAPに最適な穴埋め性と膜厚均一性に優れた浴や小径スルホールフィリングに適した浴等で実績を挙げるとともに、ウェハー用の再配線やポスト形成に適した浴の開発も進めています。
ハ.その他
当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき、ウェハーのバンプ用電気錫合金めっきの開発も注力しており、一部は品揃えが完了しております。
一方で従来よりも黒みの強い黒色無電解ニッケルめっきプロセスも開発しました。
② 環境・資源問題への配慮
重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴やホルマリンフリーの無電解銅めっき浴並びにパーフルオロオクタンスルホン酸塩(PFOS)フリー複合めっき浴の開発、品揃えにも努めております。
一方、RoHS指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等も品揃えしております。
③ 海外開発拠点との技術協力推進
現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。
④ 基礎研究分野における産官学の連携
国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。
⑤ プロパテント政策
当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は407件(国内153件、海外254件、出願中含む)、実用新案は4件(国内4件)です。保有する商標は283件(国内87件、海外196件、出願中含む)です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。
表面処理用資材事業に係る研究開発費は19億87百万円であります。

(2)表面処理用機械事業
装置及び浴管理装置の開発
当社独自の技術であるSAP対応縦型連続搬送装置(U-VCP及びU-VCPS)の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、ウェハー用薬液のシステムを新たに加えて、各種浴管理装置を提供しております。
表面処理用機械事業に係る研究開発費は1億61百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。