新日本無線株式会社 研究開発活動 (2017年3月期)

当社グループは、エレクトロニクス業界にあって、電子デバイス製品やマイクロ波関連製品等の企画、設計から生産技術まで総合的な研究開発を行っております。
当連結会計年度の研究開発費の総額は、4,581百万円(前年度比 3.4%増)であります。
各セグメントの研究開発活動につきましては、次のとおりであります。
(マイクロ波製品)
マイクロ波電子管関連では、各種レーダー用電子管および周辺機器、高出力増幅器を中心としたマイクロ波帯モジュール、含浸型カソードおよび電子銃の開発を行っております。レーダー用電子管および周辺機器は、新たなスプリアス規制に対応した電子管や周辺機器の開発を継続しております。また、X線応用市場向けライナックマグネトロンおよび電子銃の製品開発を行っております。
マイクロ波コンポーネント関連で、主力の衛星通信用コンポーネント製品では、引き続きコンシューマー市場向け製品の開発に注力してまいります。主力の14GHz帯(Kuバンド)では小型～中出力の送受信一体型トランシーバーの開発に注力し、市場拡大が続く30GHz帯(Kaバンド)ではより広帯域に対応した製品等、高機能化を進めてまいります。
マイクロ波センサ一関連製品では、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)を活用した24GHz帯(K バンド)ドップラーセンサーの応用製品展開を進め対象市場の拡大を図っていきます。Kバンド小型マルチモードモジュールは対象物が多い環境でも安定して検知が出来る新たな信号処理の開発等、組込ソフトウェアによる高機能化とアプリケーション開発に注力していきます。
当セグメントに係る研究開発費は、633百万円(前年度比 12.6%減)であります。
(電子デバイス製品)
主力製品のオペアンプICでは、高精度、低雑音、超低消費電流、高音質の汎用品と共に、車載・産機向けの専用品の開発を進めております。オーディオ用ICでは、ポータブル機器向けに低消費電力D級アンプの開発に注力すると共に、当社が長年培ってきた高音質化技術を生かし、鋭意開発・量産中のオペアンプICや電子ボリュームIC等のMUSESシリーズに、SiCデバイスを用いたSBD(Schottky Barrier Diode)も加え、ハイレゾ音響に対応しております。ビデオ信号処理用ICでは、監視カメラをターゲットに高機能ビデオアンプの開発を進めております。電源用ICや各種ドライバでは、8インチのBCD(Bipolar-CMOS-DMOS)プロセスを用いた高耐圧・大電流製品のラインナップ化を進めており、また、水晶発振器用ICでは、低位相雑音化と併せさらなる超小型化製品の開発を進めております。
マイクロ波デバイス(GaAs IC)では、スマートフォン、タブレットPC、モバイルルーター等のLTE、WiFiアプリケーション向けの製品開発を行い、複数のスイッチ製品およびLNA製品の量産を開始いたしました。また、GNSS(Global Navigation Satellite System)を用いたウェアラブル機器向けにSAWフィルタと低消費電力のLNA(Low Noise Amplifier)を複合化したFEM(Front End Module)の新製品の量産を開始しました。
新規事業分野といたしましては、MEMSセンサーを用いたスマートフォンのマイクモジュール向けの次世代品および、ウェアラブル端末や健康機器応用製品向けに光センサーの次世代製品開発を進めております。また、自社開発のADコンバータをコアにしたセンサー市場向けのアナログフロントエンドICの量産を開始いたしました。引き続き、高精度化を目指して開発を進めていきます。また、開発を進めていましたスーパージャンクションMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)も量産を開始いたしました。
当セグメントに係る研究開発費は、3,947百万円(前年度比 6.5%増)であります。