有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100TJ4N (EDINETへの外部リンク)
 株式会社オキサイド 研究開発活動 (2024年2月期)
株式会社オキサイド 研究開発活動 (2024年2月期)
		
		 当連結会計年度の研究開発活動は、基盤技術開発と製品開発の二つの分野に区分されます。製品開発は、さらに、新製品開発と既存製品の改良開発に区分されます。
基盤技術開発は、主として新領域事業において行っております。新製品開発は、主として新領域事業において、既存製品の改良開発は、新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。
当連結会計年度における当社グループが支出した研究開発費の総額は1,049百万円であります。
当連結会計年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。
なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。
(1)基盤技術開発
当社グループは、当社グループの保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。
(2)製品開発
当社グループは、(1)の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。
① 新製品開発
光学技術の応用分野は拡大を続けております。当連結会計年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野(SiC単結晶、β型酸化ガリウム単結晶)に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nm、244nm、257nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発・製品化に注力しております。量子関連技術については、量子もつれ光子対光源モジュールなどの量子通信を実現するモジュールを開発しております。
② 既存製品の改良開発
当社グループの主力製品である波長266nmレーザについて、高出力化・高信頼化を進めると共に、需要増に対応するための量産技術開発やサプライチェーン強靭化に向けた主要部品の内製化を推進しております。
製品開発の例
		
基盤技術開発は、主として新領域事業において行っております。新製品開発は、主として新領域事業において、既存製品の改良開発は、新領域、半導体、ヘルスケアの各事業において行っております。独自開発のみならず、ユーザーや大学等との共同研究開発も積極的に進めております。
当連結会計年度における当社グループが支出した研究開発費の総額は1,049百万円であります。
当連結会計年度における各区分の主要な研究開発の概要は以下のとおりです。
なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますので、セグメント別の記載を省略しております。
(1)基盤技術開発
当社グループは、当社グループの保有するコアテクノロジ技術の深耕として、新たな特性を持つ単結晶材料の探索や、新たな単結晶育成技術の開発、レーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発に取り組んでおります。
(2)製品開発
当社グループは、(1)の基盤技術開発を利用して、新製品開発、既存製品の改良開発に取り組んでおります。
① 新製品開発
光学技術の応用分野は拡大を続けております。当連結会計年度は、単結晶においては、成長著しいパワー半導体分野(SiC単結晶、β型酸化ガリウム単結晶)に注力しております。レーザにおいては、次世代の半導体検査装置用213nm、244nm、257nmレーザや最先端の材料分析技術である光電子分光用114nmレーザの開発・製品化に注力しております。量子関連技術については、量子もつれ光子対光源モジュールなどの量子通信を実現するモジュールを開発しております。
② 既存製品の改良開発
当社グループの主力製品である波長266nmレーザについて、高出力化・高信頼化を進めると共に、需要増に対応するための量産技術開発やサプライチェーン強靭化に向けた主要部品の内製化を推進しております。
製品開発の例
| 開発中の製品 | 期待される主な用途 | |
| 単結晶・ デバイス | GPS単結晶 | 放射能汚染モニタリング、セキュリティ、石油探査、医用SPECT装置 | 
| アイソレータ用単結晶 | 5G・データセンタ通信用デバイス | |
| GaN用基板単結晶 | 可視光レーザ、高周波デバイス、パワー半導体 | |
| SiC単結晶 | パワー半導体 | |
| β型酸化ガリウム単結晶 | パワー半導体 | |
| 蛍光体単結晶・デバイス | レーザ照明、水銀ランプ代替、プロジェクタ光源 | |
| 量子通信デバイス | 長距離量子通信、量子もつれ光子対光源、量子中継器 | |
| レーザ | CW/QCW213nmレーザ | 半導体検査装置、最先端計測 | 
| 114nmレーザ | 光電子分光 | |
| フェムト秒レーザ | 電子部品等のマイクロ加工、ディスプレイのリペア | |
| マスク描画用レーザ | フォトマスク、露光機 | |
このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E36433] S100TJ4N)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
	
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