上村工業株式会社 研究開発活動 (2017年3月期)

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。
当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は20億14百万円であります。
(1)表面処理用資材事業
① プリント配線板(PWB)/半導体パッケージ(PKG)対応技術の強化
PWB/PKG関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス等に対応したプロセス開発に注力しています。
イ. 最終表面処理関連
一層進むファインパターン化に対応するために銅上直接無電解金/パラジウム/金(IGEPIG)プロセスの有効性が確認できたため、そのプロセス開発に注力しています。
一方で拡大するフレキシブル基板に対応した無電解ニッケル/無電解金(ENIG)薬品の開発にも取り組んでおります。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、主にパワーデバイス関連で実績を上げるとともに、ロジックデバイスに適合したプロセスの開発を行っており、計5製品を上市いたしました。
ロ. 銅めっき関連
さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、当社独自のMSAPやロープロファイル向けに前処理プロセスや無電解銅めっきの開発並びに、これらのめっき技術を応用してファンアウト基材へのめっき液の開発も行いました。電気銅めっき関係では、パッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線浴を開発し、無電解銅と合わせて計3プロセスの製品を上市いたしました。
引き続きSAPに最適な穴埋め性と膜厚均一性に優れた浴や小径スルホールフィリングに適した浴等で実績を挙げるとともに、ウェハー用の再配線やポスト形成に適した浴の開発も進めています。
② 電子部品並びに汎用無電解めっきの強化
当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき、ウェハーのバンプ用電気錫合金めっきの開発にも注力しており、一部は品揃えが完了しております。一方で、次世代パワーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルプロセスや車載用機械要素部品へのめっき浴の開発を継続しています。
③ 環境・資源問題への配慮
重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴やホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等の開発、RoHS指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等の品揃えにも努めております。
④ 海外開発拠点との技術協力推進
現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。
⑤ 基礎研究分野における産官学の連携
国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。
⑥ プロパテント政策
当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は428件(国内158件、海外270件、出願中含む)、実用新案は4件(国内4件)です。保有する商標は278件(国内82件、海外196件、出願中含む)です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。
表面処理用資材事業に係る研究開発費は18億44百万円であります。

(2)表面処理用機械事業
装置及び浴管理装置の開発
当社独自の技術であるSAP対応縦型連続搬送装置(U-VCP及びU-VCPS)の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、ウェハー用薬液のシステムを新たに加えて、各種浴管理装置を提供しております。
表面処理用機械事業に係る研究開発費は1億70百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。