新日本無線株式会社 研究開発活動 (2018年3月期)

当社グループは、エレクトロニクス業界にあって、電子デバイス製品やマイクロ波関連製品等の企画、設計から生産技術まで総合的な研究開発を行っております。
当連結会計年度の研究開発費の総額は、4,422百万円(前年度比 3.5%減)であります。
各セグメントの研究開発活動につきましては、次のとおりであります。
(マイクロ波製品)
マイクロ波電子管関連では、各種レーダー用電子管および周辺機器の開発と、X線応用市場向けにライナック用高出力マグネトロンの開発と非破壊検査装置用に電子銃および含浸型カソードの製品開発を行っております。
マイクロ波コンポーネント関連では、主力の衛星通信用コンポーネント製品で、引き続きコンシューマー市場向け製品の開発に注力しております。市場の動向に合わせC/Ku/Ka帯の汎用製品の開発とともに、カスタム製品の開発受注にも注力してまいります。
マイクロ波センサ関連製品では、独自の信号処理を内蔵したドップラーセンサおよびマルチモードセンサモジュールのラインナップ拡大と、マイクロ波センサを応用したシステム開発も進めております。
当セグメントに係る研究開発費は、584百万円(前年度比 7.8%減)であります。
(電子デバイス製品)
主力製品のオペアンプICでは、高精度、低雑音、超低消費電流、高音質の汎用品とともに、車載・産業機器向けの専用品の開発を進めております。オーディオ用ICでは、ポータブル機器向けに低消費電力D級アンプの開発に注力するとともに、当社が長年培ってきた高音質化技術をいかし、鋭意開発・量産中のオペアンプICや電子ボリュームIC等のMUSESシリーズに、SiCデバイスを用いたSBD(Schottky Barrier Diode)も加え、ハイレゾ音響に対応しております。ビデオ信号処理用ICでは、監視カメラをターゲットに高機能ビデオアンプの開発を進めております。電源用ICや各種ドライバでは、8インチのBCD(Bipolar-CMOS-DMOS)プロセスを用いた高耐圧・大電流製品のラインナップ化を進めており、また、水晶発振器用ICでは、低位相雑音化とあわせ、さらなる超小型化製品の開発を進めております。
マイクロ波デバイス(GaAs IC)では、スマートフォン、タブレットPC、モバイルルーター等のLTE、WiFiアプリケーション向けの製品開発を行い、複数のスイッチ製品およびLNA製品の量産を開始いたしました。また、新規製品分野としてLTEパワーアンプモジュール(PAM)の製品開発を完了し、量産を開始いたしました。今後品種を拡大してまいります。さらに、従来はRFスイッチ製品にはGaAs半導体を用いておりましたが、新しいデバイスであるSOI RFCMOSを用いたスイッチ製品開発を行い、量産を開始いたしました。こちらも今後品種を拡大してまいります。
新規事業分野といたしましては、MEMSセンサを用いたスマートフォンのマイクモジュール向けの次世代品および、ウェアラブル端末や健康機器応用製品向けに光センサの次世代製品開発を進めております。また、自社開発のADコンバータをコアにしたセンサ市場向けのアナログフロントエンドICの量産を開始いたしました。引き続き、高精度化を目指して開発を進めてまいります。また、開発を進めているスーパージャンクションMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)も量産を開始いたしました。
当セグメントに係る研究開発費は、3,837百万円(前年度比 2.8%減)であります。