上村工業株式会社 研究開発活動 (2018年3月期)

めっき薬品・機械設備・浴管理装置の三位一体の開発を継続しながら、難易度の高いテーマに積極的に取り組み、最先端技術を追求するとともに、将来技術も探索しております。また、台湾・マレーシア・中国・タイ等にある海外開発・技術拠点との連携も一層深めています。
当連結会計年度におけるセグメント別の研究目的、主要課題、研究成果及び研究開発費は次のとおりであります。なお、当連結会計年度における研究開発費の総額は20億92百万円であります。
(1)表面処理用資材事業
① プリント配線板(PWB)/半導体パッケージ(PKG)対応技術の強化
PWB/PKG関連の表面処理は当社の最も得意とする分野であり、高密度化する実装技術に対応したプロセスやカーエレクトロニクス、半導体向けめっきプロセス等に対応した薬液開発に注力しています。
イ. 最終表面処理関連
当社の強みである無電解ニッケル/パラジウム/金プロセスにおいて、顧客ニーズの多様化に合わせた製品開発を継続しております。一方でファインパターン基板や、高周波デバイス向け基板、フレキシブル基板に対応したニッケルフリープロセス薬品の開発にも取り組んでおります。また、ウェハーへのめっきプロセスについては、主にパワーデバイス関連及びロジックデバイス向けの薬品開発を行い、ロジックデバイス向けの無電解ニッケル1製品を上市いたしました。
ロ. 銅めっき関連
さらなる細線化や各種樹脂に対応するために、MSAPやロープロファイル向けに当社独自の前処理プロセスや無電解銅めっきの開発並びに、これらのめっき技術を応用してパネルレベルパッケージ向けへのめっき液の開発も行っており、樹脂上への前処理プロセスの3製品を上市いたしました。また、電解銅めっき関係では、基板用のビアフィリング浴並びにRDL用のめっき浴の開発を行い、2製品を上市いたしました。
引き続き、新規樹脂上への無電解銅めっきプロセスやパッケージ基板へのポストめっき用高速電解銅めっき浴並びにウェハーの再配線浴の開発も進めています。
② 電子部品並びに汎用無電解めっきの強化
当社独自のめっき装置であるフロースループレーターを使用してめっきするチップ部品用の中性のニッケル、錫めっき浴や基板用途の電気錫めっき等の開発を行っております。また、次世代パワーエレクトロニクスに適合した無電解ニッケルプロセスや車載用機械要素部品へのめっき浴の開発並びにHD用めっき液の開発を行い、合わせて2製品を上市いたしました。
③ 環境・資源問題への配慮
重金属フリーの無電解ニッケル浴、ノーシアンタイプの無電解金めっき浴や銀めっき浴、ホルマリンフリーの無電解銅めっき浴等の開発、RoHS指令への対応としてウィスカ制御可能な電気錫めっき浴等の品揃えにも努めております。
④ 海外開発拠点との技術協力推進
現在、海外の研究開発拠点は台湾桃園・マレーシアジョホール・中国深圳・タイナワナコン等にあり、海外開発品の日本市場への展開も行われております。これからも、日本の中央研究所を核としながら、海外拠点を活用して地域に密着したグローバルな研究開発体制を推進してまいります。
⑤ 基礎研究分野における産官学の連携
国内外の大学並びに公的研究機関との共同研究において理論的解析等を行い、製品開発方向を定める一助とするとともに、業界トップの技術力を維持強化してまいります。
⑥ プロパテント政策
当連結会計年度末時点において当社が保有する特許は485件(国内165件、海外320件、出願中含む)、実用新案は3件(国内3件)です。保有する商標は295件(国内87件、海外208件、出願中含む)です。当社は知的財産権を重視した開発戦略を進めており、特許・商標ともに海外での権利化を重視しております。
表面処理用資材事業に係る研究開発費は19億3百万円であります。

(2)表面処理用機械事業
装置及び浴管理装置の開発
当社独自の技術であるSAP対応縦型連続搬送装置(U-VCP及びU-VCPS)の開発を行い、実機ベースの装置と薬液を使用しためっきつけが可能となっております。浴管理装置については、金属イオン分析システムを組み合わせたシステムを開発し、幅広い浴に対応した管理装置を提供しております。
表面処理用機械事業に係る研究開発費は1億89百万円であります。

今後も、投資対効果を常に意識し、無駄のないメリハリの利いた重要テーマへの積極的投資を続けてまいります。