有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100GBWC
株式会社岡本工作機械製作所 研究開発活動 (2019年3月期)
当社グループは、総合砥粒加工機メーカーとして顧客の高精度/高能率要求に対応していくため、「究極の平面創成」をスローガンに、平面加工(研削・研磨)の分野において世界最高峰の技術を目指すことを主要な開発テーマ としております。
当連結会計年度における研究開発費の総額は130百万円であります。
また、当社グループの研究・開発・技術スタッフは109名で、全従業員の5.4%に当たります。
なお、セグメント別の状況は次のとおりであります。
(1) 工作機械
先期から、当社の売上戦略機種と位置付けております門型大型平面研削盤につきましては、引き続きユニットモジュール化を前提とした各種テーブルサイズのシリーズ化と静圧スライド搭載機の拡充を図っているところです。更には、自動化・省人化に関する時代要求に応える為、ワークの自動着脱・自動搬送に関する標準化を進めることにより、各種ユーザーニーズに対するフレキシブルなご提案の実現を目指しております。
また、静圧スライドを用いた超精密級の中型平面研削盤につきましては、高次元かつ安定的な商品価値を確立する為、設計のクオリティーのみならず、部品加工、及び組立工程における技術の向上を図りながら、各種スライド機構と機械サイズのシリーズ化に取り組んでおります。
また、円筒・アングル・内面の3工程研削に加え、自動測定/自動補正を1台の機械に集約した複合円筒研削盤:UGMシリーズにおきましては、上記の研削工程に加え、同時多軸制御技術を用いたポリゴン研削(多角形研削)に対応できるハード・ソフト両面のアプリケーションを開発中です。
更に、昨年のJIMTOFに出品したボクサータイプの内面研削盤(2つの砥石軸を独立して使い分ける方式)は、現在、更なるフットプリントの縮小を検討しつつ今期中の量産化を目指しております。
当セグメントに係る研究開発費は122百万円であります。
(2) 半導体関連装置
半導体デバイスウエーハ関連においては、科学技術振興機構(JST)の支援プログラムにて採択された、Si貫通電極ウエーハの低コスト化・超平坦化・金属汚染フリー・薄化加工の技術開発を前年に引き続き取り組んでおります。
また、依然として市場が拡大しているパワーデバイス関連材料であるSiC、GaN、及びスマートフォンに採用されているSAWフィルター用のLT(リチウムタンタレート)やLN(リチウムニオベート)等に対しましては、これら特殊材料向け専用の高能率研削盤やラップ盤・ポリッシュ盤の開発に引き続き注力してまいります。
当セグメントに係る研究開発費は8百万円であります。
当連結会計年度における研究開発費の総額は130百万円であります。
また、当社グループの研究・開発・技術スタッフは109名で、全従業員の5.4%に当たります。
なお、セグメント別の状況は次のとおりであります。
(1) 工作機械
先期から、当社の売上戦略機種と位置付けております門型大型平面研削盤につきましては、引き続きユニットモジュール化を前提とした各種テーブルサイズのシリーズ化と静圧スライド搭載機の拡充を図っているところです。更には、自動化・省人化に関する時代要求に応える為、ワークの自動着脱・自動搬送に関する標準化を進めることにより、各種ユーザーニーズに対するフレキシブルなご提案の実現を目指しております。
また、静圧スライドを用いた超精密級の中型平面研削盤につきましては、高次元かつ安定的な商品価値を確立する為、設計のクオリティーのみならず、部品加工、及び組立工程における技術の向上を図りながら、各種スライド機構と機械サイズのシリーズ化に取り組んでおります。
また、円筒・アングル・内面の3工程研削に加え、自動測定/自動補正を1台の機械に集約した複合円筒研削盤:UGMシリーズにおきましては、上記の研削工程に加え、同時多軸制御技術を用いたポリゴン研削(多角形研削)に対応できるハード・ソフト両面のアプリケーションを開発中です。
更に、昨年のJIMTOFに出品したボクサータイプの内面研削盤(2つの砥石軸を独立して使い分ける方式)は、現在、更なるフットプリントの縮小を検討しつつ今期中の量産化を目指しております。
当セグメントに係る研究開発費は122百万円であります。
(2) 半導体関連装置
半導体デバイスウエーハ関連においては、科学技術振興機構(JST)の支援プログラムにて採択された、Si貫通電極ウエーハの低コスト化・超平坦化・金属汚染フリー・薄化加工の技術開発を前年に引き続き取り組んでおります。
また、依然として市場が拡大しているパワーデバイス関連材料であるSiC、GaN、及びスマートフォンに採用されているSAWフィルター用のLT(リチウムタンタレート)やLN(リチウムニオベート)等に対しましては、これら特殊材料向け専用の高能率研削盤やラップ盤・ポリッシュ盤の開発に引き続き注力してまいります。
当セグメントに係る研究開発費は8百万円であります。
このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01493] S100GBWC)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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