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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100H1CM

有価証券報告書抜粋 株式会社 アルバック 研究開発活動 (2019年6月期)


事業等のリスクメニュー株式の総数等

当社グループは、真空技術を応用した次世代・最先端の分野における研究開発活動を経営の重要な柱に位置付けており、当連結会計年度における研究開発活動は、当社を中心として以下のとおり実施いたしております。
国内外の各開発拠点において競合他社に先駆けた独創的な新技術の開発、積極的な応用技術の開発を行っております。
今後成長が見込まれる「情報の高度化」分野、「省エネ・創エネ」分野においては、重要領域を定め重点的な開発投資を行うことで、スピードを重視した開発を進めております。
当連結会計年度における研究開発費の総額は9,209百万円となり、セグメントごとに研究開発活動の成果を示すと次のとおりであります。

(真空機器事業)
当社の事業の柱であるフラットパネルディスプレイ(FPD)や半導体、高機能電子デバイス用装置などの電子デバイスの各分野に開発投資を行い、新製品や新技術を創出、受注にも貢献しております。
また、真空ポンプや真空計測機器等各種のコンポーネント分野へも開発投資を行っております。
当セグメントに係る研究開発費は8,784百万円となり、代表的な成果は次のとおりであります。

(1)FPD製造装置
液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ及びフレキシブルディスプレイなどの分野における次世代技術への開発投資を行っております。
高精細化してゆく液晶ディスプレイや有機ELディスプレイに対して、製品歩留まりを改善するための技術開発(スパッタリング装置等における低発塵新搬送機構、マスク合わせ精度向上)や成膜性能を向上する新ユニット開発、新材料開発等、総合的な成膜技術向上を進めております。厳しさを増す市場要求水準に合った評価のために各種測定設備等の更新・新設を行い、開発をスピードアップさせております。
また、今後採用の拡大が予想される酸化物半導体薄膜トランジスタ向けの新ターゲット材料開発を行うとともに、スパッタリング成膜プロセス開発も進めております。

(2)半導体及び電子部品製造装置
微細化、高積層化の進むDRAMおよび3次元NANDフラッシュメモリ工程用装置の性能向上を進めております。
また、今後大きく市場拡大が見込まれる次世代不揮発性メモリ分野において、市場要求に対応した材料・プロセス・装置を開発するとともに、最先端ロジック分野においてもプロセス・装置開発を行い、市場に投入しております。
電子部品製造装置においては、スマート社会化に向けた通信・オプト(光学膜)・MEMS・パワー半導体・電子実装の製造に適した装置・プロセスを開発し、販売を行っております。

(3)コンポーネント
真空ポンプや真空計測機器を始め、真空成膜に用いる電源新機種の開発を進めており、各種コンポーネントのラインナップを充実させております。また、ヘリウム標準リークの校正方法を開発し、日本で初めてJCSS校正事業者の認定を受けました。
さらに、半導体製造装置用途のクライオポンプや医療用途で利用できる極低温冷凍機の開発も進めており、幅広い分野に貢献してまいります。

(真空応用事業)
ナノテクノロジー、エネルギー及び環境に関連する先端材料や表面分析機器などの開発を行っており、当セグメントに係る研究開発費は425百万円となりました。
主に、ディスプレイや半導体の高性能化に貢献するターゲット材料、高性能加速器向けNb材料等の先端材料や高度表面分析装置の開発を行っております。

事業等のリスク株式の総数等


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01589] S100H1CM)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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