サンケン電気株式会社 研究開発活動 (2019年3月期)

当社グループは事業ドメインを「Power Electronics」と定め、この分野において一段上の企業像を目指すべく研究開発活動を進めております。基本方針としては、エコ・省エネ、グリーンエネルギー市場を核とした成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を掲げ、連結子会社にも研究開発部門を有し、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の10.42%に当たる18,097百万円であります。
セグメントごとの研究開発活動を示すと次の通りであります。

(1) 半導体デバイス事業
半導体デバイス事業においては、製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、共通コンセプトによる設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。また、成長著しい新興国向けの汎用品の製品開発にも積極的に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。
・ADコンバータとMCUを用いた数値演算によるフルデジタル制御により力率改善回路の高効率化を実現、ブリッジレスPFC制御と全波電流共振電源制御を1パッケージで制御可能なデジタル制御電源IC MD6751を開発
・Siデバイスでは実現が難しいソリューションを可能にするため、材料物性に優れた化合物半導体材料を用いたトレンチ型SiC-MOSFETを開発
・市場の高耐圧要求に応え1200V高耐圧BCDプロセスであるSG7UHVプロセスを開発
・緻密な発電制御を行うための豊富な出力制御機能とモニター機能を有し、LIN通信を組み合わせることで様々な仕様のオルタネータを自由に制御することが可能となる汎用オルタネ―タ用レギュレータIC AR3004を開発
・ツェナーダイオードとゲート抵抗を内蔵し、低飽和電圧と高エネルギー耐量を両立したイグナイタ用IGBT DGUシリーズを開発
・顧客固有の大型パッケージ、機電一体型モジュールへの取り込みを狙い、シリコンチップ状態(ベアチップ)で品質を担保する大電流メジャーを適用したKGD(Known Good Die)製品を開発
・素子構造に低濃度アノード及び粒子線照射によるキラーを用いることでリカバリ時のピーク電流を小さくするとともにリンギングの発生も抑制、高周波整流用途としてスイッチング特性に優れた低ノイズFRD FMXR-1206Sを開発
・周辺部品の削減で電源の小型化を実現、電源待機時の低電流化や高効率化も可能とした、環境対応車両に搭載される低電圧入力かつ絶縁型の電源構築に最適なスイッチング電源IC SFA0006を開発
・当社独自の位相制御技術を用いたACダイレクト方式により、小型・薄型、超低ノイズ、フリッカレスの特長を有し、デザイン性あるヒューマンインターフェース付電源内蔵照明モジュールを開発
・照明に必要な機能をSOP28パッケージにオールインワンされたフルデジタル制御のLED照明用デジタル電源IC MD6721を開発
・Bridgeless PFC制御と電流共振制御を内蔵したフルデジタル制御IC MD6751を開発
・従来品に比べ、ホール素子入力対応の制御機能を取込んだことで高機能化し、出力素子にSJ-MOSを搭載することにより高耐圧・低損失化を実現した制御機能内蔵高圧三相モータドライバIC SX68120Mシリーズを開発
・外付けのクランプ回路なしで点火コイルの駆動回路を構成、低飽和電圧特性のIGBTでセットの高効率化に貢献できるイグナイタ用IGBT DGU4020GR/DGU4520GRを開発
・幅広い用途に向け4シリーズの電流定格と汎用性の高い3パッケージをラインアップ、低損失、低リーク電流を実現した高周波整流用600V低ノイズFRD XRシリーズを開発
・電源電圧低下、過電流の保護機能を搭載、IGBTやMOS FETの駆動用シングルタイプの汎用ローサイドゲートドライバIC SSC4S701を開発
・高効率LEDと専用電源を採用することで従来の電源内蔵型直管形LEDランプよりも発熱量を抑え、ヒートシンクを削減し、スリム化を実現したHf蛍光灯代替T8サイズ電源内蔵直管形LEDランプ NVL12P5シリーズを開発


なお、GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業(民間基盤技術研究支援制度)「電源用 GaN on Si 電子デバイスの研究」で得られたGaN on Si技術を活かし、HEMT構造の横型デバイスの量産中で、生産性改善の為、6inchプロセス技術の確立、HEMT素子特有の特性変動(電流コラプス変動)の選別技術を開発いたしました。並行して、バルクGaN基板を用いた縦型デバイスの検討を、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し行っております。
SiCデバイスに関しては、戦略的イノベーション創造プログラム(SIP)の高温実装技術開発を完了したしました。本成果を用い、SiC素子の性能を生かす車載分野向けモジュールの検討を社内にて開始しております。

半導体デバイス事業に係る当連結会計年度の研究開発費は17,010百万円であります。

(2) パワーシステム事業
パワーシステム事業においては、グリーンエネルギーをキーワードに「発電・送配電・消費・蓄電」の分野への事業拡大を図るとともに、高効率変換技術を追求して継続的な新商品創出に取り組んでおります。また、デバイス部門との融合によりモジュール電源等の新しい領域の開拓を行ってまいります。さらにデバイス同様、共通コンセプトによる設計改革に取り組み、開発時間短縮と製品競争力向上に注力してまいります。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。
・従来品と同一外形で電力容量約1.5倍を実現した汎用電源SWJシリーズを開発
・ファンレス―モジュール式構造の採用により、施工性が高く、省スペース、軽量で設置が容易な屋外用小型UPSを開発
・低消費電力ICと電力制御技術により業界トップクラスの低待機電力と高効率化を実現、各国の省エネルギーに関する規制に準拠した通信・産機・OA機器、民生等に最適な汎用ACアダプタSEGシリーズを開発
・携帯電話基地局のマクロセル用光張り出し無線装置向けRFアンプ用DC/DCコンバータ UR129Aを開発
・パワーマルチプロセッシング方式の採用で従来は両立し得なかった省エネ・高効率運転と高品位電力を同時に実現し、発熱量も抑えランニングコストの低減が可能、また電源管理アプリケーションにも幅広く対応した小容量無停電電源装置 SMU-HGシリーズを開発

パワーシステム事業に係る当連結会計年度の研究開発費は1,086百万円であります。