東京エレクトロン株式会社 研究開発活動 (2019年3月期)

当社グループの研究開発活動は、半導体製造装置、FPD製造装置及び報告セグメントに帰属しない基礎研究又は要素研究等に関するものであります。
半導体製造装置事業では、AI、5G、IoT、データマイニングに向けて次世代デバイスの高速化・大容量化・機能統合化が必要になり、それらを具現化する製造技術の高度化へ先行して対応すべく、新製品開発の強化に引き続き努めております。具体的には、コータ/デベロッパ、エッチング装置、成膜装置、洗浄装置、先端パッケージ向けプロセス装置、ウェーハプローバ等の装置開発として、次世代デバイスから要求される装置・プロセス開発、プロセスの高精度化、装置の高信頼性化、高生産性化、コスト低減等の開発、装置仕様の標準化、部品・ソフトウエア共通化等の技術開発を推進しております。同時に、省エネルギー化の要求に対応するため、装置の省電力化技術等、環境に配慮した技術開発にも注力しております。さらに、次々世代の新デバイス製造に必要な製造装置の開発を進め、新市場の拡大に対応できる体制を整えております。微細化加工技術開発の一環として、EUV露光による超高解像パターニングをはじめとする複数工程開発が益々重要となっており、当社の各開発拠点を活用したプロセス開発とインテグレーション開発を行うことで、より付加価値の高い技術を開発、提案しております。また、近年著しい成長を遂げていますAI技術等の先端IT技術を駆使した、顧客向け・社内向け両面での生産性向上活動も進めております。
FPD製造装置事業では、インクジェット技術を用いた有機ELディスプレイ製造装置の開発などに注力しております。
基礎・要素研究関連では、微細加工のための新しい各種プロセスの技術開発及び評価、新構造や新材料に対応したプロセス技術開発等を行っており、また、これらの開発を支える各種の研究を行っております。具体的には、微細加工に必要なプロセス技術として、マルチパターニングに代表される微細加工技術、各種新材料の成膜技術、熱処理技術、洗浄技術、プラズマプロセス装置に不可欠なプラズマ技術、熱処理装置で重要な熱制御技術、開発効率を向上するシミュレーション技術、パーティクルや不純物汚染等を制御するコンタミネーション制御技術等、重要かつ他社との差別化を図る各種コア技術を研究しております。
加えて、オープンイノベーション型の開発を強化するために、国内外の有力大学・各種研究機関等との共同開発、各種材料パートナー、コンポーネントパートナーとの緊密な研究開発を推進しております。近年、最先端のプロセス開発とその性能評価を電気的特性データで検証していくことは必要不可欠となっています。いわゆるプロセスインテグレーション評価技術として、プロセスモジュール(トランジスタ工程から配線工程まで)の評価を通じて新規プロセス装置評価、新材料の集積可能性検証、将来技術の電気特性データによる開発指針づくり等を行っております。
なお、当連結会計年度の研究開発費は、1,139億8千万円(前連結会計年度比17.4%増)であり、連結売上高に対する比率は8.9%(前連結会計年度比0.3ポイント増)であります。

当連結会計年度におけるセグメントごとの研究開発費は次のとおりであります。

セグメントの名称	金額(百万円)	前期比(%)
半導体製造装置	91,876	32.5%
FPD製造装置	4,084	△2.2%
全社	18,020	△23.6%
合計	113,980	17.4%

(注) 「全社」は報告セグメントに帰属しない基礎研究又は要素研究等に関するものであります。