イノテック株式会社 研究開発活動 (2020年3月期)

当社グループは、従来型商社ビジネスからの転換を図るため、研究開発の充実によって当社グループ自身のエンジニアリング力を高め、市場動向及びニーズを重視しながら自社の新製品・新技術の研究開発を積極的に進めております。
現在の研究開発は、当社グループの各技術部門を中心に推進されており、主に当社においては半導体テストシステムや組込み用途向けのCPUボード、子会社においては半導体向けの信頼性試験装置や組込みソフト検証ツール等の開発を行っております。
当社グループの当連結会計年度の研究開発費の総額は1,236百万円となっており、このうち、設計開発ソリューション事業に係る研究開発費が284百万円、プロダクトソリューション事業に係る研究開発費が952百万円となっております。

(1)設計開発ソリューション事業
当連結会計年度の主な研究開発活動としましては、当社の組込み用途向けCPUボード製品において、前連結会計年度に製品化いたしましたEMBOX TypeRE9XXシリーズに関連する派製品、付属品及び各機能の状態を監視するモニタリングソフトウェア(RIMO)の開発に取り組みました。EMBOX TypeRE900に搭載されているUPSモジュールやRIMOの開発では、顧客の使用環境等を考慮することで、より最適な製品の実現に繋げるとともに、様々な環境条件に対応することが可能となるような新製品の開発に取り組みました。このほかにも、異常検知や予兆検知などIoT・エッジコンピューティング(※)、エッジAI市場において必要とされる要素を取り入れた開発を引き続き継続して行くことで、特定用途向け市場などへの拡販に繋げていきたいと考えております。
また、連結子会社であるガイオ・テクノロジー株式会社は、組込みソフト開発・検証ツールにおけるテストデータ生成技術や次世代モデルベース、セキュリティー分野、マルチコアツールへの技術開発に取り組み、このうちテストデータ生成技術についてはβ版を完成させることができました。さらに、モデルベース開発における派生開発について基本動作検証の目処が立ち、β版開発に向けて計画を策定中であります。
(※)クラウド上にデータを送信する前に予め「エッジ(現場)」で画像や振動等の情報を処理・判断し、簡素化(セキュリティ化)されたデータを必要に応じてクラウド上に送信する構成を構築すること。

(2)プロダクトソリューション事業
当連結会計年度の主な研究開発活動としましては、当社のテストシステム製品について、メモリデバイス向けの既存テストシステムでは、海外顧客向けの仕様の整合や低価格を維持しながら高速化を行うためのソフトウェア開発を行うと同時に、前連結会計年度に引き続き、既存顧客の製品開発環境強化への貢献や当社製品の差別化を図るための各種装置、機能の開発などに取り組みました。イメージセンサー向けテストシステムについては、従来の仕様を見直し、自社の既存技術を活かした製品開発を連結子会社である株式会社レグラスと協業で行っているほか、オンチップカラーフィルターやカメラモジュール向けの各種製品では、海外企業とのコラボレーションモデルの検討などグローバル体制での開発にも取り組みました。その他、MEMSセンサーやSSD向け新製品の評価チャンバーシステムの開発・企画なども行いました。
また、連結子会社である台湾のSTAr Technologies, Inc.は、先端テクノロジーを使用したターンキーテストソリューションを提供するため、積極的な研究開発を行いました。信頼性試験装置では、同社の製品であるSagittariusシリーズにおけるアプリケーションライブラリの拡張や自動キャリブレーション設定機能の開発を行い、重要性が増しているRFデバイス向け自動信頼性測定システムの開発に取り組みました。また、大手ファウンドリ顧客に販売実績のあるScorpioシリーズでは、最先端半導体プロセス評価向けとしての機能拡張や各信頼性試験規格への対応、ウエハーレベルでの信頼性試験向けに低ノイズフロアを実現したMagicプロービングステーションシリーズの開発に注力しました。さらに、同社のプローブカード事業では、パラメトリック試験(※1)用途のVirgoシリーズのさらなる高性能・高精度化のほか、イメージセンサーデバイス等に対応するアドバンストプローブカード(※2)の開発やプローブピンと同様にプローブカードのキーパーツとなるスペーストランスフォーマ―(※3)を内製化するための研究開発を行いました。
翌連結会計年度においても、当社グループのエンジニアリング力を活かし、先端半導体テスト向けに特徴のある製品開発に注力してまいります。
(※1)半導体デバイスの微小電流測定や電圧測定を行い重要な半導体特性評価やパラメータ解析を行う試験のこと。
(※2)カンチレバー(片持ち梁)型プローブカードに比較し、狭ピッチ、高位置精度、高周波特性に優れており、MEMS技術を応用したプローブカードのこと。
(※3)プローブカードを構成する部品で微細な半導体デバイスのパッドピッチに変換する薄膜多層配線基板のこと。