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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100OE2P (EDINETへの外部リンク)

有価証券報告書抜粋 ローム株式会社 研究開発活動 (2022年3月期)


事業等のリスクメニュー株式の総数等

ロームグループは、「エレクトロニクスの技術で社会課題を解決する」ことを経営理念に、あらゆる開発業務を通じて社会課題解決に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、SDGs、ESGの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献することを目指します。
なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量やGHG排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なSiCをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバICなどの普及拡大を図っていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「LSI」における製品開発
・150V GaN HEMTにおける業界最高8Vまで高めたゲート耐圧技術を開発。
・最大80V耐圧、5A出力の電源IC「BD9G500EFJ-LA」「BD9F500QUZ」を開発。
・SerDes IC「BU18xMxx-C」及びカメラ向けPMIC「BD86852MUF-C」を開発。
・業界初、小型面実装パッケージの1700V SiC MOS内蔵AC/DCコンバータIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発。
・高音質オーディオ機器向け32bit D/AコンバータIC「BD34352EKV」を開発。
・電源ICの応答性能を極限まで追求できる革新的電源技術「QuiCur™」を確立。
・業界最高8Vゲート耐圧の150V GaN HEMT量産体制を確立。

(2)「半導体素子」における製品開発
・SiCダイオード内蔵IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65Cシリーズ」を開発。
・LiDAR用75W高出力レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発。
・吉利汽車集団(Geely Automobile Group)とロームがSiCパワーデバイスを中心とした戦略的パートナーシップを締結。
・正海集団とローム、SiCパワーモジュール事業に関する合弁会社の設立に合意。
・UAESのSiCパワーソリューションにおける優先サプライヤーにロームが認定。

(3)「モジュール」における製品開発
・薄型機器の無線給電化を容易に実現するワイヤレスチャージャーモジュール「BP3621」「BP3622」を開発。

(4)「その他」における製品開発
・業界最高の定格電力4Wを実現した厚膜シャント抵抗器「LTR100L」を開発。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。
セグメントの名称金額(百万円)
LSI22,953
半導体素子11,201
モジュール1,287
報告セグメント計35,442
その他683
合計36,126

事業等のリスク株式の総数等


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01953] S100OE2P)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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