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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100R4PD (EDINETへの外部リンク)

有価証券報告書抜粋 Mipox株式会社 研究開発活動 (2023年3月期)


事業等のリスクメニュー株式の総数等

当連結会計年度における研究開発活動におきましては、当社経営基本方針に掲げる「エンジニアリングアプローチによる製品事業の付加価値向上」「受託事業からエンジニアリングサービス事業への転換」「早い変化と多様性に対応できる経営基盤の整備」に基づき進めてまいりました。
当社では、SiCを中心とする次世代半導体材料・ウェーハの加工や結晶評価に重点をおきつつ、加工と常温接合をつなぐ洗浄技術、データストレージや光ファイバー、プリント基板など高付加価値分野での研究開発に取り組んでまいりました。
この結果、当連結会計年度における当社グループの研究開発費は133百万円となりました。
主な研究開発活動は次のとおりであります。

(製品事業)

(1) ハードディスク関連
既存の垂直磁気記録方式のハードディスクに対して、大容量化に向けて近い将来登場する記録方式であるエネルギーアシスト磁気記録方式のハードディスク向け研磨フィルム用に、新しい研磨材を用いる塗布技術の確立に向けた開発に取り組んでまいりました。

(2) 光ファイバー関連
5Gをはじめとする、高速・大容量通信ネットワークの普及によるデータセンター用コネクタ市場の拡大に伴い、同コネクタ向けの初期工程の粗研磨用フィルムから最終工程の精密仕上げ用の研磨フィルム及び研磨スラリーの製品化を進めてまいりました。

(3) ウェーハ関連
今後、需要が急増する可能性がある、大口径SiCウェーハ(8インチ)に対応した研磨フィルム式エッジポリッシャーの開発を進めてまいりました。SiCウェーハ製造用途向けでは、同ウェーハを安定した状態でハンドリング出来る新機構を開発、SiCデバイス用途向けでは、薄化工程時の歩留まり改善に効果が認められているエッジトリミング用途に特化した専用機構を開発し、各テスト加工、引合いを進めております。また、以前から取組みを開始したダイヤモンド砥粒を積極的に使用する新アプリケーションの開発を今期も継続し、大口径SiCウェーハ向けに適用し、当社独自のエッジ研磨プロセスの確立に挑んでおります。


(4) PCB向け研磨ホイールの開発
PCB研磨工程で使われる各種研磨材の開発に取り組んでまいりました。高精細化するPCB市場のニーズ合わせた砥石と不織布の研磨ホイールを開発、提案し高評価に繋がりました。このうち砥石タイプの研磨ホイールは、安定した仕上げ面粗さと優れた耐久性を評価されております。

(5) 半導体結晶観察装置の開発
国立研究開発法人からの事業委託を受け半導体結晶インゴットの内部歪を観察する装置を開発してまいりました。また、大学と共同研究開発も継続して行っており、これらの研究開発をベースにした観察サービスの提供を2、3年以内で予定しております。

この結果、当連結会計年度における製品事業の研究開発費は118百万円となりました。

(受託事業)

鹿沼事業所内に新設したクリーンルーム(北杜事業所と比較して大幅増床)により、新たに環境を得た各種ウェーハ向け精密洗浄プロセスの開発に取り組んでまいりました。精密洗浄処理は、その前工程に位置するポリシング及びCMPや、後工程となる接合処理をつなぐ重要な工程であり、当社が目指すエンジニアリングの実現に不可欠なプロセスの一つであります。新設した専用洗浄装置を用い、洗浄剤の開発、洗浄条件の最適化を図り、CMP、接合処理共に、従来にないレンジでお客様のニーズに応えられる受け入れ態勢の構築を達成しております。

この結果、当連結会計年度における受託事業の研究開発費は14百万円となりました。

事業等のリスク株式の総数等


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01218] S100R4PD)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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