サンケン電気株式会社 研究開発活動 (2026年3月期)

経営理念の一つである「パワーエレクトロニクスとその周辺領域を含めた最適なソリューション提供」に基づき、当連結会計年度における研究開発活動を進めてまいりました。パワーモジュール、パワーデバイスの領域での成長戦略の実現及び技術マーケティングの確立と効率的な開発マネジメントによる新製品開発の促進を進めるとともに、連結子会社にも研究開発部門を置き、グループを挙げて研究開発に取り組んでおります。当連結会計年度における研究開発費の総額は売上高の6.74%に当たる5,400百万円であります。

製品開発における技術マーケティングの導入により成長市場へのシフトを担う製品開発に注力するとともに、前工程となる半導体素子プロセスから、後工程となる実装、パッケージ技術のプラットフォーム化(SPP: Sanken Power-electronics Platform)を進めることにより、設計改革、業務改革を推進し開発スピードのアップを図っております。当連結会計年度における研究開発の主な成果は次のものがあります。

・PSJGaNは、分極で生じる電子及び正孔によって形成される超接合構造による電界分布の均一化を利用することで、耐圧の向上及び電流コラプスの抑制効果が期待される。これらの効果を確認するため、試作及びデバイス評価を実施し、従来のGaN HEMTとの比較を行った結果、耐圧及び電流コラプス特性で優位性を示唆するデータを得た。さらにカスコード接続によるSW動作では、SJMOSよりも優れた特性を示す結果を得た。引き続きMOSFETや制御ICと組み合わせた統合型デバイスの製品化へ向けた検討を進める。
・電源・モータ向けパワーエレクトロニクス制御用に、RISC-V CPUコア、22nm超低リークプロセス、ReRAMを採用したマイコン MD6605を開発。MD6605はRISC-V CPUコアに加え、デジタルフィルタ演算用DSPと高速タスク・スイッチが可能なEPU(Event Processing Unit)によるヘテロジニアスマルチコア構成を採用しており、パワエレ制御システムの高効率化と高機能化を実現する。
・自動車の電動化に伴い様々なパワートレインが開発される中、主に欧州での需要が高い48V系マイルドハイブリッド車(48V MHEV)に搭載される電動コンプレッサに対応した100V 低圧三相 MOSFET Module SAM4L10M30Z1を開発。
・車載向け電動ウォーターポンプ制御ドライバ用製品として、1200V IPMシリーズ搭載パワーデバイスを開発するとともに、同デバイスを搭載したSAM2製品を開発。
・SiC MOSFETの駆動方式において、高速スイッチングを実現する4端子駆動と短絡耐量を向上させる3端子駆動の特性を両立する新たな駆動方法を開発。
・基板材質の見直しにより裏面からの漏光を抑制した赤外チップLED製品を開発。本製品は従来品と外形及び実装互換性を維持することでユーザーにおける設計変更を不要とし、適用性の向上を図っている。
・車室内の間接照明として普及が進むRGB-LEDにおいて、RGBの蛍光体を用いて単色及び中間色の色ばらつきを抑制するとともに、温度特性及び大電流領域における発光特性を改善させたRGB-LEDを開発。
・シーリングファン、コーヒーメーカ、除湿・加湿器、掃除機などの小物家電において求められる、面実装化及び非絶縁化による外付け部品点数削減と高効率化に対応し、小型化とシステム効率の向上を図った非絶縁コンバータ電源IC STR5M400シリーズを開発。
・エアコン、洗濯機、空気清浄機といった白物家電やスマートメーターなどの小容量電源向けに、高耐圧パワーMOSFET及びエラーアンプを内蔵した、非絶縁フライバック電源IC STR5A300シリーズを開発。本製品は、外付け部品点数の削減により小型化及び低コスト化を図るとともに、電源システムの高効率化に対応する。
・半導体前工程の一つであるウェーハテストにおいて要求されるスループット向上のためには、複数チップを一度に検査する同時測定機能を使用する。同時に測定するチップ数が増えることにより、コンポーネントの大型化及びコスト増に繋がるが、これを抑制するためのコンポーネントの汎用化設計を行った。

なお、SiCデバイスに関しては、2023年度に採択されたNEDO先導研究プログラム『SiCスマートパワーIC技術の研究開発』を産業技術研究所と共同で実施し、SiCの特性を最大限引き出すSiC-IC技術の開発検証を完了しました。現在は、本技術を基盤とした超低損失SiCモジュールの事業化に向けた検討を進めております。
GaNデバイスに関しては、NEDO基盤技術研究促進事業で得られたGaN on Si技術と、2025年4月に買収したパウデック社が所有していたPSJ技術と融合させ、独自のデバイス構造を開発、早期に市場投入できるよう対応中です。また、並行してGaN on GaN技術を用いた縦型デバイスについて、名古屋大学中心に進められているGaNコンソーシアムに参画し、検討を行っております。