有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100YHJ7 (EDINETへの外部リンク)
新電元工業株式会社 研究開発活動 (2026年3月期)
当社グループの研究開発体制は、おもに基礎研究および応用技術開発を担当する技術開発センターと、商品開発を担当する各事業部門およびグループ会社の設計・開発部門で構成しております。
技術開発センターは、当社各事業分野の製品を支えるコア技術、事業部門に共通する基盤技術、ならびに新市場の開拓に向けた基礎技術の研究開発をミッションとしております。これら全社的な研究開発活動を通じて創出された技術成果については、事業部門への円滑な技術移管を継続的に推進しております。
また、パワーデバイス、パワーユニット、パワーシステムに至るまでの技術領域を横断的に捉え、それぞれの技術特性を踏まえた最適化を図った研究開発を行っている点が当社の特長です。
半導体デバイス分野においては、SiCデバイスをはじめとする次世代化合物半導体デバイスの低損失化・高性能化に関する研究開発に加え、次世代デバイスに求められる高温・高信頼性接合材料の応用研究、ならびにパワーモジュールの小型化・低ノイズ化に向けた開発を継続しており、これらの成果を順次事業部門へ移管しています。
パワーエレクトロニクス分野においては、パワーユニットおよびパワーシステム事業製品に必要な電力変換回路・制御技術、電源の小型化・高効率化・高放熱化技術のほか、新市場向けのワイヤレス給電技術やロボティクス技術の開発、ならびに研究開発および設計に不可欠なシミュレーション技術の高度化に取り組んでおります。
これらの研究開発は、当社事業部門およびマーケティング部門と連携しながら研究テーマの妥当性評価を行い、市場ニーズおよび将来の事業収益との整合性を確保する形で推進しています。また、必要に応じて大学や研究機関等の外部組織との共同研究開発も実施しており、こうした社内外の連携を含む研究開発活動全体の成果として、数多くの特許を出願しております。
当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,203百万円(売上高比4.6%)であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。
(パワーデバイス事業)
当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品は高性能なサージ吸収用ダイオードのラインナップ拡充を中心に開発を実施しました。さらにウエハー大口径化と低コスト化を実現する新構造の技術開発を完了し製品化のステージへ移行しました。また、新構造の高耐圧化に向けて技術開発を推進しています。
MOSFET製品では、車載用の低ノイズ、低Ronの第6世代となるプロセス開発を完了しラインナップ拡充に取り組んだほか、カスタム対応となるSi高耐圧プレーナMOSFETの開発を実施しました。
パワーモジュール製品では、四輪用電源向けMOSFETモジュールのラインナップ拡充を推進しました。さらに、民生/産機向けに小型・軽量構造のダイオードモジュールや電動二輪用のMOSFETモジュールの開発を推進しています。
IC製品では、48Vバッテリー化対応に向けた製品開発を実施しました。さらに、内燃機関二輪向け製品の高機能化プロセスの開発を推進しています
当事業に係る研究開発費は2,278百万円であります。
(パワーユニット事業)
当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、内燃機関製品向けに外部センサが不要となるモーター駆動制御の改善やアクセサリ類を一括で制御する装置の技術確立を推進しています。また、電動車製品向けでは、当社で開発した新しいMOSFETチップをパッケージなしで搭載するモーター制御装置やワールドワイド入力電圧対応の充電器の技術確立に取り組みました。
四輪分野では、プラットフォーム技術を取り入れた高電圧入力・高出力電源の開発を含め、プラットフォーム電源のラインナップ拡充を図りました。また、高電力密度を狙ったモジュールタイプの電源の開発に着手しました。
昨今、必要性が高まっているサイバーセキュリティへの対応を二輪・四輪のいずれにも適用しました。
共通実装技術では、高密度化に向けたリードレスパッケージの実装技術や検査技術の確立、及びプリント基板の基材や基板構成の最適化や接着剤の開発に取り組み、製品開発のスピードアップに繋がる活動を推進しています。
当事業に係る研究開発費は1,963百万円であります。
(パワーシステム事業)
当セグメントの研究開発活動として、情報・通信市場分野では、従来品に対して高効率・小型化をした通信事業者向け三相200V入力DC48V1600Aの整流装置の開発、屋外設置に対応した三相入力小型簡易電源システムの開発を行いました。
その他、設計インフラ環境の改善施策としてプリント基板自動設計ツールの導入。研究開発として従来品に対して1%以上の効率向上と30%以上のサイズダウンを実現した三相3線400V入力に対応した高効率電源の技術開発を行いました。
当事業に係る研究開発費は139百万円であります。
(全社共通)
全社共通に係る研究開発費は822百万円であります。
技術開発センターは、当社各事業分野の製品を支えるコア技術、事業部門に共通する基盤技術、ならびに新市場の開拓に向けた基礎技術の研究開発をミッションとしております。これら全社的な研究開発活動を通じて創出された技術成果については、事業部門への円滑な技術移管を継続的に推進しております。
また、パワーデバイス、パワーユニット、パワーシステムに至るまでの技術領域を横断的に捉え、それぞれの技術特性を踏まえた最適化を図った研究開発を行っている点が当社の特長です。
半導体デバイス分野においては、SiCデバイスをはじめとする次世代化合物半導体デバイスの低損失化・高性能化に関する研究開発に加え、次世代デバイスに求められる高温・高信頼性接合材料の応用研究、ならびにパワーモジュールの小型化・低ノイズ化に向けた開発を継続しており、これらの成果を順次事業部門へ移管しています。
パワーエレクトロニクス分野においては、パワーユニットおよびパワーシステム事業製品に必要な電力変換回路・制御技術、電源の小型化・高効率化・高放熱化技術のほか、新市場向けのワイヤレス給電技術やロボティクス技術の開発、ならびに研究開発および設計に不可欠なシミュレーション技術の高度化に取り組んでおります。
これらの研究開発は、当社事業部門およびマーケティング部門と連携しながら研究テーマの妥当性評価を行い、市場ニーズおよび将来の事業収益との整合性を確保する形で推進しています。また、必要に応じて大学や研究機関等の外部組織との共同研究開発も実施しており、こうした社内外の連携を含む研究開発活動全体の成果として、数多くの特許を出願しております。
当連結会計年度におけるグループ全体の研究開発費の総額は5,203百万円(売上高比4.6%)であり、各セグメントの主な成果および研究開発費は以下のとおりであります。
(パワーデバイス事業)
当セグメントの研究開発活動として、ダイオード製品は高性能なサージ吸収用ダイオードのラインナップ拡充を中心に開発を実施しました。さらにウエハー大口径化と低コスト化を実現する新構造の技術開発を完了し製品化のステージへ移行しました。また、新構造の高耐圧化に向けて技術開発を推進しています。
MOSFET製品では、車載用の低ノイズ、低Ronの第6世代となるプロセス開発を完了しラインナップ拡充に取り組んだほか、カスタム対応となるSi高耐圧プレーナMOSFETの開発を実施しました。
パワーモジュール製品では、四輪用電源向けMOSFETモジュールのラインナップ拡充を推進しました。さらに、民生/産機向けに小型・軽量構造のダイオードモジュールや電動二輪用のMOSFETモジュールの開発を推進しています。
IC製品では、48Vバッテリー化対応に向けた製品開発を実施しました。さらに、内燃機関二輪向け製品の高機能化プロセスの開発を推進しています
当事業に係る研究開発費は2,278百万円であります。
(パワーユニット事業)
当セグメントの研究開発活動として、二輪分野では、内燃機関製品向けに外部センサが不要となるモーター駆動制御の改善やアクセサリ類を一括で制御する装置の技術確立を推進しています。また、電動車製品向けでは、当社で開発した新しいMOSFETチップをパッケージなしで搭載するモーター制御装置やワールドワイド入力電圧対応の充電器の技術確立に取り組みました。
四輪分野では、プラットフォーム技術を取り入れた高電圧入力・高出力電源の開発を含め、プラットフォーム電源のラインナップ拡充を図りました。また、高電力密度を狙ったモジュールタイプの電源の開発に着手しました。
昨今、必要性が高まっているサイバーセキュリティへの対応を二輪・四輪のいずれにも適用しました。
共通実装技術では、高密度化に向けたリードレスパッケージの実装技術や検査技術の確立、及びプリント基板の基材や基板構成の最適化や接着剤の開発に取り組み、製品開発のスピードアップに繋がる活動を推進しています。
当事業に係る研究開発費は1,963百万円であります。
(パワーシステム事業)
当セグメントの研究開発活動として、情報・通信市場分野では、従来品に対して高効率・小型化をした通信事業者向け三相200V入力DC48V1600Aの整流装置の開発、屋外設置に対応した三相入力小型簡易電源システムの開発を行いました。
その他、設計インフラ環境の改善施策としてプリント基板自動設計ツールの導入。研究開発として従来品に対して1%以上の効率向上と30%以上のサイズダウンを実現した三相3線400V入力に対応した高効率電源の技術開発を行いました。
当事業に係る研究開発費は139百万円であります。
(全社共通)
全社共通に係る研究開発費は822百万円であります。
このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01887] S100YHJ7)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
ご利用にあたっては、こちらもご覧ください。「ご利用規約」「どんぶり会計β版について」。
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