ローム株式会社 研究開発活動 (2026年3月期)

当社グループは、「エレクトロニクスの技術で、社会が抱える様々な課題を解決し、未来に向けて、人々の豊かな暮らしと社会の発展を支え続ける」ことを使命に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品づくりを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和のとれた研究開発活動を継続的に進展させております。エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、将来世代、将来の社会に向けた社会課題の解決と文化の進歩向上に貢献することを目指します。
なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量や温室効果ガス排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なSiCをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバICなどの普及拡大をはかっていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「LSI」における製品開発
・AI機能搭載マイコン「ML63Q253x-NNNxx / ML63Q255x-NNNxx」を開発
ネットワークに依存せず、マイコン単体で学習と推論を実現するAI機能搭載マイコンを開発しました。ローム独自のオンデバイスAIソリューション「Solist-AI™」を実現するため、シンプルな3層ニューラルネットワークのアルゴリズムを採用しており、モーターなどの産業機器をはじめ、各種機器においてセンシングデータを活用した故障予兆検知や劣化予測を可能にします。独自技術のAIアクセラレータにより、従来のソフトウェア方式を採用した当社製マイコンと比較してAI処理の高速化を実現し、産業機器や住宅設備・家電機器の安定稼働、メンテナンス効率向上に貢献します。

・負耐圧・高耐圧対応 高精度電流センスアンプ「BD1423xFVJ-C/BD1422xG-C」を開発
車載信頼性規格AEC-Q100に準拠した高精度電流センスアンプ「BD1423xFVJ-C」及び「BD1422xG-C」を開発しました。48V電源系統向けの高耐圧品と、5V/12V電源系統向けの小型品をラインアップし、多様な車載電源ネットワークに対応します。高精度かつ、負耐圧、高耐圧に対応した電流検出により、車載機器に求められる安全性・信頼性の向上に貢献します。

・LogiCoA™電源ソリューションのリファレンスデザイン「REF67004」を公開
アナログとデジタルの長所を融合したLogiCoA™電源ソリューションについて、民生、産業機器で多く使用されているPFCとフライバックの2つのコンバータで構成された電源のリファレンスデザイン「REF67004」を公開しました。LogiCoA™は、アナログ制御相当の低消費電力・低コストを維持しながら、フルデジタル制御に近い機能を実現する電源制御ソリューションです。リファレンスデザインや評価ボード、アプリケーションノート、ソフトウェアなどを提供することで、導入時の設計・評価を支援します。

・小型WLCSPパッケージのオペアンプ「TLR1901GXZ」を開発
超小型で動作時の回路電流を業界最小に抑えたWLCSPパッケージ採用の高精度CMOSオペアンプを開発しました。超小型パッケージにより限られた実装スペースでも搭載しやすく、スマートフォン、IoT機器、ウェアラブル機器などの小型化に貢献します。低入力オフセット電圧や低ノイズ特性を備えることで、センサからの微小信号を高精度に増幅できる設計を実現しています。

・ゾーンECU向け1chハイサイドIPD「BV1HBxxxシリーズ」を開発
ゾーンECU化が進む自動車のボディ系アプリケーション向けに、1chハイサイドIPD「BV1HBxxxEFJ-C」シリーズを開発しました。過電力供給などからシステムを保護するスマートハイサイドスイッチとして、照明、ドアロック、パワーウィンドウなどの負荷制御に適しています。低オン抵抗と高エネルギー耐量を両立し、電流センス機能も搭載することで、安全性・効率性・信頼性に優れたシステム設計を支援します。

(2)「半導体素子」における製品開発
・高電力密度の新型SiCモジュール「HSDIP20」を開発
xEV用オンボードチャージャーに適した、4in1及び6in1構成のSiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を開発しました。750V耐圧品及び1,200V耐圧品をラインアップし、電力変換回路に必要な基本回路を小型モジュールパッケージに内蔵しています。高い放熱性能を備えた絶縁基板を内蔵することで、大電力動作時のチップ温度上昇を抑制し、電力変換回路の小型化と高出力化に貢献します。

・業界トップクラスの放射強度 小型・面実装 近赤外LEDを開発
VR/AR機器、産業用光センサ、人感センサなどに対応する面実装型の近赤外LEDについて、小型トップビュータイプ品をラインアップしました。超小型・超薄型のPICOLED™シリーズや、1.6mm×0.8mmサイズのレンズタイプを揃え、850nm系及び940nm系の波長を用途に応じて選択できます。850nm系は高感度が求められる視線追跡や物体検知に、940nm系は太陽光の影響を受けにくく発光時に赤く見えにくい用途に適しており、アプリケーションの高精度化や省電力化に貢献します。

・AIサーバー向けMOSFET「RY7P250BM」を開発
48V系電源のAIサーバー向けホットスワップ回路や、産業機器電源に適した100V耐圧パワーMOSFET「RY7P250BM」を開発しました。業界トップのSOA耐量と低オン抵抗を両立し、電源投入時や高負荷動作時の信頼性を確保しながら、電力損失や発熱の低減に貢献します。AIサーバーの電力消費増加に対応するため、サーバー電源の高効率化、冷却負荷の低減、電力コスト削減を支援します。

・急速充電に最適な小型MOSFET「AW2K21」を開発
2.0mm×2.0mmのパッケージサイズで業界トップとなるオン抵抗のMOSFET「AW2K21」を開発しました。小型パッケージで低オン抵抗を実現し、大電流での受給電が求められる急速充電回路に対応します。1つの素子に2つのMOSFETを内蔵することで、受給電回路で必要となる双方向保護にも1製品で対応でき、省スペース化に貢献します。

・2in1 SiCモジュール「DOT-247」パッケージを開発
PVインバータ、UPS、半導体リレーなどの産業機器向けアプリケーションに適した、2in1構成のSiCモジュール「DOT-247」を開発しました。TO-247パッケージの汎用性はそのままに、2つのTO-247を連結した形状と独自構造により、低オン抵抗化と高い電力密度を実現しています。ハーフブリッジとコモンソースの2種類のトポロジーをラインアップし、幅広い回路構成に対応します。

・保護用ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」を開発
車載カメラ保護向けに、ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」を開発しました。一般に整流用途で用いられるショットキーバリアダイオードの低VF特性を保護用に活用するという発想の転換から生まれた製品で、低VFと低IRの両立により、車載カメラの電源オフ時に発生する光起電圧による回路破壊リスクを抑制し、動作中の熱暴走や誤動作リスクの低減にも貢献します。小型のSOD-323HEパッケージを採用し、限られた実装スペースにも対応しやすい製品としてラインアップしています。

・10Gbps超の高速I/Fに対応するESD保護ダイオード「RESDxVxシリーズ」を開発
業界トップクラスの低ダイナミック抵抗と超低容量を両立したESD(静電気放電)保護ダイオード「RESDxVxシリーズ」を開発しました。10Gbpsを超える高速通信インターフェースにおいて、信号品質を維持しながらICを保護する低容量ESD保護ダイオードです。車載SerDesや車載イーサネット、LVDS、USB、HDMI、MIPIなど、各種高速インターフェースへの適用を想定しています。ADAS・AD用カメラや車載インフォテインメント、ECUなど、高速通信を用いる車載システムの信頼性向上に貢献します。

(3)「モジュール」、「その他」における製品開発
・厚膜シャント抵抗器「UCR10C/UCR18C」を開発
車載、産業機器、民生機器の各種電流検出用途に向けて、2012サイズのシャント抵抗器として業界トップの定格電力を実現した金属焼結シャント抵抗器「UCR10Cシリーズ」を開発しました。放熱構造を最適化することで、同等サイズ品と比較して2倍となる1.0W、1.25Wの定格電力を実現しています。さらに、金属抵抗体の採用により低TCRを実現し、温度変化による抵抗値誤差を抑えることで、高精度な電流センシングに貢献します。

・シャント抵抗器のEROMラインアップを拡充
車載・産業機器をはじめとする多様なアプリケーションで採用されるシャント抵抗器について、EROM(Embeddable BCI-ROM)モデルのラインアップを拡充し、Web上で公開しました。従来公開していた「PSRシリーズ」に加え、「PMRシリーズ」のEROMモデルを追加し、表面温度及び部品熱抵抗において実測値との誤差±5%以内という高精度を実現しています。これにより、実際の使用環境に近い熱解析が可能となり、熱設計段階でのシミュレーション精度向上や開発効率の改善に貢献します。

※本項で記載している「業界初」「業界トップクラス」等の表現は、発表時点の当社調べによるものです。
※LogiCoA™、Solist-AI™、PICOLED™は当社の商標又は登録商標です。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

セグメントの名称	金額(百万円)
LSI	21,312
半導体素子	23,778
モジュール	862
報告セグメント計	45,953
その他	651
合計	46,605