ローム株式会社 研究開発活動 (2024年3月期)

当社グループは、「エレクトロニクスの技術で、社会が抱えるさまざまな課題を解決し、未来に向けて、人々の豊かな暮らしと社会の発展を支え続ける」ことを使命に、あらゆる開発業務を通じて社会に役立つ製品作りを進めております。さらに次世代を見据えた新技術開発においても、材料、設計技術、製造技術、品質向上にいたるまで調和の取れた研究開発活動を継続的に進展させております。また、SDGs、ESGの観点から、エネルギー、環境、人口、安全食料などの社会課題に真摯に向き合い、将来世代、将来の社会に向けた社会課題の解決と文化の進歩向上に貢献することを目指します。
なかでも、環境保全に対する世界的な意識の高まりを背景に、小型化と同時に高効率化による省エネ製品のニーズが高まっています。電力消費量や温室効果ガス排出量の削減による環境保全への貢献に加え、生活の質や利便性の維持向上といった相反するニーズにも対応可能なSiCをはじめとするパワーデバイスや、それを駆動する絶縁ゲートドライバICなどの普及拡大をはかっていきます。

当連結会計年度におけるセグメント別の主な成果は下記のとおりであります。

(1)「LSI」における製品開発
・LEDドライバ「BD94130xxx-M」を開発
1つのICで192エリアのミニLEDを独立制御可能なマトリクス方式(8系統×24ch)のLEDドライバです。次世代のカーインフォテインメントや車載メータークラスターなどで採用が進んでいる大型ディスプレイの車載液晶バックライトに最適で、省エネ動作や高精細化に貢献します。

・ホールIC「BD5310xG-CZ / BD5410xG-CZシリーズ」を開発
磁気検出を用いた車載アプリケーション向けホールICで、業界トップクラスの42V耐圧を実現。ナノレベルの極小コンデンサ容量でも安定動作します。パワーウィンドウやスライドドアなど、各種モータの回転検出用途に幅広く搭載可能です。

・EcoGaN™パワーステージIC「BM3G0xxMUV-LB」を開発
次世代パワーデバイスの650V GaN HEMTとGaN HEMTのパフォーマンスを最大限引き出すために最適化された専用ゲート駆動用ドライバ及び追加機能、周辺部品を1パッケージに同梱しています。サーバー、ACアダプター等の低損失化と小型化に大きく貢献します。

・ゲートドライバIC「BD2311NVX-LB」」を開発
最小ゲート入力パルス幅1.25ナノ秒でスイッチングが可能なMOSFETのゲート駆動用ICです。高い周波数での動作が得意なGaNデバイスのゲートを高速でスイッチングできるため、アプリケーションの小型化、省エネ化、高性能化に貢献します。

・音声合成LSI「ML22120xx」を開発
業界初となるxEV車(電動車)向けAVAS(車両接近通報装置)専用の音声合成LSIで、自動車の通報音生成に最適です。

・車載プライマリLDO「BD9xxM5-C」を開発
高速負荷応答技術「QuiCur™」搭載により、業界最高レベルの負荷応答特性を実現したプライマリLDOです。車載バッテリーで動作する車載電装品やECU(電子制御ユニット)等の低消費電力化に貢献します。

・リニアオペアンプ「LMR1901YG-M」を開発
当社独自の超低消費電流技術により、温度や電圧変化による電流増加を徹底的に抑制しバッテリーの消耗を大幅に抑制した消費電流世界最小のオペアンプです。民生・産業機器アプリケーションの省電力化に貢献します。



・リファレンスデザイン「REF66004」を共同開発
スマートコックピット向けSoCメーカーの中国最大手、Nanjing SemiDrive Technology LtdとSoC向けPMICやSerDes IC等を搭載したスマートコックピット向けリファレンスデザインを共同開発しました。

(2)「半導体素子」における製品開発
・650V耐圧のGaN HEMTを量産開始
Delta Electronics, Inc.の関連会社でGaNデバイスの開発等を手掛けるAncora Semiconductors Inc.
との共同開発で、業界トップクラスのデバイス性能を実現しています。サーバーやACアダプターなど幅広い電源システムの高効率化・小型化に最適です。

・100V耐圧のデュアルMOSFETを5機種ラインアップ
当社の最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、5.0mm×6.0mm、3.3mm×3.3mmサイズで業界トップの低オン抵抗を実現しています。通信基地局や産業機器向けファンモーターの駆動に最適で、機器の低消費電力化、省スペース化に貢献します。

・当社初のシリコンキャパシタ「BTD1RVFLシリーズ」を開発
スマートフォンやウェアラブル機器などで採用が進むシリコンキャパシタを新たに開発しました。面実装タイプの量産品で業界最小の0402サイズを実現し、スマートフォンなどの省スペース化に貢献します。

・レーザーダイオード「RLD90QZW8」を開発
波長の温度依存性を66%減少させたことで測定距離を大幅にアップしたLiDAR用120W高出力半導体レーザーダイオードです。発光幅の97%で均一な発光強度を実現しており、LiDARの検知精度向上に貢献します。

(3)「モジュール」における製品開発
・小型近接センサ「RPR-0720」を開発
ローム製素子を用いたモジュールの構造最適化によって小型サイズを実現したVCSEL搭載の光学式センサモジュールです。ワイヤレスイヤホンやスマートウォッチなどウェアラブル機器を中心に、着脱検知や近接検知を必要とする幅広いアプリケーションに向けて、小型化・電池容量増加に貢献します。

・サーマルプリントヘッド「TE2004-QP1W00A(203dpi)」「TE3004-TP1W00A(300dpi)」を開発
高性能印字と約30%の省エネを実現した、リチウムイオン電池1セル(3.6V)駆動の新構造サーマルプリントヘッドです。リチウムイオン電池1本でも高速・明瞭に印字でき、物流ラベル・在庫管理ラベル印刷の効率向上に貢献します。

(4)「その他」における製品開発
・金属板シャント抵抗器「PMR100」のラインアップに定格電力5Wかつ超低抵抗0.5mΩ/1mΩ/1.5mΩの3製品を追加しました。温度特性に優れた新材料および端子温度ディレーティングの導入により、6432サイズの保護膜ありフラットチップタイプでは業界最高クラスの定格電力5Wを達成。自動車、産業機器、民生機器など多様なアプリケーションにおいて、小型化に貢献するとともに、高い電流検知精度による高効率動作も実現します。

当連結会計年度のセグメント別の研究開発費は、次のとおりであります。

セグメントの名称	金額(百万円)
LSI	24,179
半導体素子	18,451
モジュール	1,074
報告セグメント計	43,706
その他	717
合計	44,423