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有価証券報告書 抜粋 ドキュメント番号: S100RWZQ (EDINETへの外部リンク)

有価証券報告書抜粋 レーザーテック株式会社 研究開発活動 (2023年6月期)


事業等のリスクメニュー株式の総数等

当社グループの技術は、光応用技術をコアに、エレクトロニクス、精密機構、及び画像処理などの周辺技術を融合させたオプトメカトロニクスと呼ばれる複合技術で、代表的な製品である半導体マスク欠陥検査装置やマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置、レーザー顕微鏡、及びFPDフォトマスク欠陥検査装置ほか、すべての製品開発に活用されています。
新しい製品の開発にあたっては、既に製品を納入している多くのお客さまや各種研究開発機関へのサービス・サポートを通じて、お客さまの顕在化した要望のみならず、潜在的なニーズも的確につかみ、独創的な視点と技術で素早くソリューションをご提供するように努めております。また、顕微鏡の営業活動などを通じて幅広い業界、市場を調査し、新しいマーケットやアプリケーションを探し出し、それぞれ固有のニーズに合致した新製品を生み出すことも同時に心がけております。
当社グループは、光学技術を追求する過程で、独自のコア技術を確立してまいりました。共焦点光学系、DUV(注)光学系、EUV(注)光学系、及び光干渉計技術などの光学技術を進化させ、高度な周辺技術との融合によって特徴ある製品を生み出しています。また、高精度高速ステージ開発のための精密機構技術、あるいは欠陥検出の画像処理技術などを継続的に深化させ、近年ではAI技術を応用した自動欠陥分類の開発を進めるなど、お客さまのニーズに対してタイムリーにソリューションを提供できる研究・製品開発を進めています。
(注) DUV:Deep Ultraviolet、遠紫外線
EUV:Extreme Ultraviolet、極端紫外線

当連結会計年度における研究開発の成果として発売された新製品は次のとおりです。

「高感度内部欠陥検査/レビュー装置 CIRIUSシリーズ」
「CIRIUS」は、独自光学系によって内部欠陥の高感度な検査を可能にした装置です。半導体製造プロセスでは、線幅の微細化と並行して3D―NANDフラッシュメモリなどの高積層化が進んでおり、デバイス内部に発生する欠陥(内部欠陥)の低減が大きな課題となっています。本製品では、従来の検査方式では検出不可能であった内部欠陥について、非破壊検査でレビューと深さの特定ができるようになりました。お客さまの製造ラインにおけるプロセスの早期改善や生産コストの削減を支援します。

「高感度ウェハエッジ検査装置 CIELシリーズ」
「CIEL」では、「EZ300」の光学系を一新して高感度・高スループット検査を実現しました。半導体デバイスの微細化や高積層化に伴い、ウェハエッジを発生源とする欠陥が増えており、さまざまな欠陥の中から歩留まりを低下させる欠陥のみを検出・分類したいというお客さまのご要望に応えた製品です。ディープラーニング技術を用いた高精度な欠陥分類と、独自光学系の3D機能によって高さ・深さ情報を含む高解像度画像の取得を可能とし、検出すべき欠陥を抽出する機能を充実させました。

当連結会計年度の研究開発費の総額は、10,977百万円であります。
なお、当社グループの事業は、検査・測定機器の設計、製造、販売を行う単一のセグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

事業等のリスク株式の総数等


このコンテンツは、EDINET閲覧(提出)サイトに掲載された有価証券報告書(文書番号: [E01991] S100RWZQ)をもとにシーフル株式会社によって作成された抜粋レポート(以下、本レポート)です。有価証券報告書から該当の情報を取得し、小さい画面の端末でも見られるようソフトウェアで機械的に情報の見栄えを調整しています。ソフトウェアに不具合等がないことを保証しておらず、一部図や表が崩れたり、文字が欠落して表示される場合があります。また、本レポートは、会計の学習に役立つ情報を提供することを目的とするもので、投資活動等を勧誘又は誘引するものではなく、投資等に関するいかなる助言も提供しません。本レポートを投資等の意思決定の目的で使用することは適切ではありません。本レポートを利用して生じたいかなる損害に関しても、弊社は一切の責任を負いません。
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