キオクシアホールディングス株式会社 研究開発活動 (2026年3月期)

(1)研究開発活動の体制と方針
当社グループでは、キオクシア株式会社のメモリ事業部、SSD事業部にて製品の開発を行い、将来市場を見据えた研究開発は同社先端技術研究所が行います。研究開発戦略は同社メモリ開発戦略部と先端技術研究所がそれぞれ協力しながら取り組んでいます。先端技術研究所は、次世代メモリ等の研究開発、新規事業につながる技術創出の強化のためにメモリ技術研究所を再編し、2024年4月に発足しました。
拡大するストレージ市場におけるお客様の新たな要求に応えることで、安定した事業の成長を目指し、大容量・低コスト、高性能化による市場競争力のあるメモリ及びSSD製品の開発を行います。特にビジネスの中核となる3次元フラッシュメモリチップで世界トップグループの地位を確立するために、新規デバイス、プロセス及びコントローラの技術開発を加速してまいります。そのための将来のビジネスに必要な研究開発投資を積極的に行います。
当連結会計年度の研究開発費の総額は1,411億円であり、研究開発の主要な成果は次のとおりです。
また、当社グループはメモリ事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しています。

(2)研究開発の主要な成果

主要製品・サービス	発表時期	概要
次世代グリーンデータセンター向けPCIe® 5.0対応広帯域光SSD	2025年4月	次世代グリーンデータセンター向けに開発している、光インターフェースを採用した広帯域SSDのPCIe® 5.0に対応するプロトタイプでの動作を確認。NEDO(国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成事業。
第8世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリ技術を採用したエンタープライズ向けNVMe™ SSD	2025年5月	第8世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSD である、NVMe™エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」を発表。前世代機のKIOXIA CM7 シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現。また、消費電力1ワット当たりの性能も向上。
生成AIや高性能計算用途向けのデータセンターSSD	2025年6月	生成AIや高性能計算用途においてGPU稼働率を高めてシステムの改善に貢献する、PCIe® 5.0対応NVMe™ SSD「KIOXIA CD9Pシリーズ」の試作品を開発。前世代品のKIOXIA CD8Pシリーズと比べてランダムライトで最大約 125%、ランダムリードで最大約30%、シーケンシャルリードで最大約20%、シーケンシャルライトで最大約25%の向上を実現。消費電力1ワット当たりの性能も向上。
SSDを活用した生成AI用ベクトル探索ソフトウェア「KIOXIA AiSAQ™」の新機能を公開	2025年7月	SSDを活用した生成AI用ベクトル探索ソフトウェアKIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)にRAG(Retrieval Augmented Generation)システムの応答性能と回答精度のバランスを調整できる機能を追加。
次世代モバイル機器向けUFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷	2025年7月	オンデバイスAI機能を持つハイエンド・スマートフォンなど次世代モバイル機器向けに開発中の、UFS 4.1に対応した組み込み式フラッシュメモリ (UFS 4.1製品) のサンプル出荷を開始。低消費電力ながらデータのダウンロードの高速化、アプリのスムーズな動作などを実現。
生成AI向け245.76 TB NVMe™エンタープライズSSD	2025年7月	生成AI向けの大容量NVMe™ エンタープライズSSD「KIOXIA LC9シリーズ」の245.76 TB モデルを発表。この大容量製品は、2 Tbの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリQLC(4ビット/セル)のチップを一つの154 BGA小型パッケージ内に32枚積層することにより実現。
第9世代BiCS FLASH™ 512Gb TLC製品のサンプル出荷	2025年7月	第9世代のBiCS FLASH™3次元フラッシュメモリ技術を適用した512Gb TLC(3ビット/セル)製品のサンプル出荷を開始。第5世代BiCS FLASH™技術をベースとした120層積層プロセスのメモリセル技術と、最新のCMOS技術を活用した製品。
車載機器向けUFS 4.1準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷	2025年7月	車載機器向けのUFS 4.1インターフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリ(UFS 4.1製品)のサンプル出荷を開始。次世代車載アプリケーションをターゲットにし、第8世代 BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリと自社設計のコントローラ技術により、性能や機能を向上。
大容量(5TB)・広帯域(64GB/s)のフラッシュメモリモジュールの試作	2025年8月	大容量・広帯域のフラッシュメモリモジュールの試作に成功。5TBの大容量、1秒当たり64ギガバイト(GB/s)の広帯域を実現。NEDO(国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構)の委託事業。
RocksDBにおいてSSDの寿命と性能を向上させるプラグインのオープンソースソフトウェアを公開	2025年10月	複数SSDのRAID環境でSSDの寿命と性能を向上させるRocksDB プラグイン(機能拡張プログラム)を開発。
高画質録画及び写真撮影向けmicroSDメモリカードの新モデル	2025年10月	高画質録画及び写真撮影向けに「EXCERIA PLUS G3 microSDメモリカードシリーズ」及び「EXCERIA G3 microSDメモリカードシリーズ」を開発。
パーソナル向けPCIe® 4.0に対応したエントリーモデルのSSD	2025年11月	「EXCERIA BASIC SSDシリーズ」を開発。最大シーケンシャルリード速度7,300MB/s、最大シーケンシャルライト速度6,800MB/sを実現。最大2TBの記憶容量。
物流システムの効率化やコスト削減に貢献するAIソリューションを開発	2025年12月	株式会社椿本チエイン及びEAGLYS株式会社と共同で、物流工程における商品を自動判別する画像認識システムを開発。このシステムに、KIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)を提供。
パーソナル向けPCIe® 5.0 SSDの新製品	2025年12月	「EXCERIA PRO G2 SSDシリーズ」を開発。最大4TBの容量を備え、シーケンシャルリードで最大14,900MB/s、シーケンシャルライトで最大13,700MB/sを実現。及び、エントリーモデルの「EXCERIA G3 SSDシリーズ」を開発。
高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術	2025年12月	高密度・低消費電力3D DRAMの実用化に向けた基盤技術として高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術を開発。
クライアントPC向けKIOXIA BG7シリーズSSD	2025年12月	第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリをクライアント向けSSDで初めて採用。シーケンシャルリード性能は最大7,000 MB/s、ランダムリード及びライト性能は最大1,000,000 IOPSの高性能を実現。
高画質録画及び写真撮影向けmicroSDメモリカードの大容量1TBモデル	2026年1月	microSDメモリカード「EXCERIA PLUS G3 microSDメモリカードシリーズ」及び「EXCERIA G3 microSDメモリカードシリーズ」の新製品1TBモデルを開発
QLC技術を採用した UFS 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷	2026年1月	QLC (4ビット/セル)技術を採用した新しいUFS 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始。第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載。当社前世代品と比較して、シーケンシャルライト性能約25%、ランダムリード性能約90%、ランダムライト性能約95%向上。
8K動画や高速連写に適したUHS-II対応SDメモリカード	2026年1月	8K動画や高速連写撮影に適したUHS-II対応の「EXCERIA PRO G2 SDメモリカードシリーズ」を開発。
次世代モバイル機器向けUFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷	2026年2月	次世代UFS規格UFS 5.0に対応する組み込み式フラッシュメモリ(UFS 5.0製品)の評価用サンプルを出荷。新規開発したコントローラと第8世代BiCS FLASH™を搭載し、512 GBと1 TBの容量をラインアップ。
AI・GPU 主導のワークロードに最適化したSuper High IOPS SSD	2026年3月	NVIDIA Storage-Next™アーキテクチャー向けに高性能・低遅延なメモリ拡張を可能にした「KIOXIA GPシリーズ」を発表。低遅延・高性能な KIOXIA XL-FLASH™ストレージクラスメモリを採用し、従来の当社のTLC SSDと比較して、高いIOPS、細かいデータアクセス(512 バイト)、さらにI/O当たりの低消費電力を実現。
単一サーバー上で48億個の高次元ベクトル検索データベースを実現	2026年3月	生成AI用ベクトル探索ソフトウェア「KIOXIA AiSAQ™(キオクシア アイザック)」近似最近傍検索(ANNS)技術を使用して、一つのサーバーで48億個のベクトルの高次元ベクトル検索を実現。