株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ　ＥＬＥＣＴＲＩＣ 研究開発活動 (2024年3月期)

当社グループで行っている研究開発活動は、
・現世代品の改善に向けたコンポーネント技術の研究開発
・次世代のバッチ成膜装置における成膜の研究開発
・次世代の枚葉装置におけるトリートメント(膜質改善)技術の研究開発
・次々世代の要素技術及び新製品の研究開発
であります。
これらの活動は、原則として当社のみで行っておりますが、次々世代の研究開発の一部においては、大学や外部機関との協業にて推進しております。また、顧客との間では、当社評価機を貸し出してのデバイス開発も行っております。
また、成膜・トリートメント技術・ソフトウェアの研究開発は、ハード・ソフトウェア開発を担当するシステム開発本部とプロセス開発を担当するプロセス開発本部にて、対応しております。
当社グループを取り巻く半導体デバイス市場は、コロナ禍の影響が心配されましたが、巣ごもり需要、リモート業務といった新しい社会現象が生み出されたこともあり、NANDフラッシュを始めとするメモリーに加えファンドリー向けの設備投資も堅調で、当初計画を上回る推移となりました。今後もデータセンター向けの需要を下支えに、5Gの普及、自動車産業の回復及びAI活用が追い風になり、一層の成長が期待されますが、デバイスのさらなる高機能化、高集積化に加え、要素から製品開発までのサイクルタイムの短縮が要求されております。
これらの要求に対し、表面積が一段と増大する三次元積層デバイスに適応する高機能成膜技術やトリートメント・キュア技術の研究・開発を推進しております。
前者の高機能成膜技術は主力製品であるバッチ成膜装置で、より低コストを可能とするラージバッチ炉、また精密な制御でより高機能な成膜を実現できるミニバッチ炉の技術開発を推進しております。
一方、後者のトリートメント・キュア技術は、枚葉装置でプラズマ等の活性化技術を駆使し、各種アプリケーションの開発を推進しております。
上述のプロセス、プラットフォームの開発に加え、温度制御、供給系、排気系などの各種コンポーネントの要素開発では、外部(大学、各種研究機関、及び原料メーカーを始めとするパートナー各社)との協業を一層強化しております。
外部協業の推進により開発サイクルの短縮を図っておりますが、シミュレーション技術の適用拡大やデバイス測定環境の内製化による分析・解析技術力の向上にて、効率的な開発を実現しております。
研究開発成果について、絶縁膜やメタルプロセスのバッチ装置において、さらなる膜品質向上と高生産性を実現し、メモリーデバイス向けを中心に、PORの維持拡大に貢献することができました。また、各種コンポーネント開発と合わせた次世代向けプラットフォームの開発も加速できており、来期以降の市場展開に向け引き続き開発を継続してまいります。その他、既存PORに関しても、研究開発成果を各種継続的改善に繋げることができております。
この結果、当連結会計年度における当社グループの研究開発費は12,683百万円となりました。
また、当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。