テクセンドフォトマスク株式会社 研究開発活動 (2026年3月期)

当社グループの研究開発活動は、外販フォトマスク市場におけるシェアトップの地位を堅持し、市場の発展に寄与していく方針のもと、伸長する技術領域における技術開発力の強化や、次世代EUVマスク開発等の新事業領域での研究開発に加え、レガシー装置の延命、代替パーツの開発等の生産効率化、合理化による利益創出を実現する開発活動に注力しております。これらの研究開発活動については、当社朝霞工場と持分法適用会社であるAdvanced Mask Technology Center GmbH & Co. KGを中心拠点として行っており、必要に応じて販売先やベンダー、コンソーシアム等との共同開発も積極的に推進しております。また、研究開発の成果・確立した技術については、当社グループ各工場へ技術移転がなされる体制を整えております。主な研究開発とその成果は次のとおりであります。
なお、当社グループはフォトマスク事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。

(1) 次世代EUVマスク向け吸収膜開発

EUVリソグラフィは従来の光学リソグラフィよりも短い波長の光を用いるため、より微細な回路パターンを形成することができます。EUVリソグラフィは反射型光学系を用いてウェハ露光されるため、EUVマスクにも反射特性が求められます(下図参照)。
EUVマスクは、基板の上にEUV光を反射する多層反射膜が形成され、その上にEUV光を吸収する吸収膜が形成されております。吸収膜上に所望のパターンを描画～エッチング加工する事でマスク上にパターンが形成されておりEUVマスクに照射されたEUV光がウェハ上に反射されることで、ウェハパターンが形成されます。そのため、EUVマスクの吸収膜特性はウェハ露光に大きな影響を与えます。
吸収膜の候補は大きく2つあり、1つは低屈折材料を用いた吸収膜であり、位相効果を利用する事でウェハ上に高いコントラストを得ることができ、従来よりも低露光量でウェハパターンの形成が可能となります。もう1つは、消衰係数の高い材料を用いた吸収膜であり、従来よりも吸収膜を薄膜化し、ウェハ露光で問題となる3次元効果(射影効果等)の低減が可能となります。今期はブランクスメーカーと共同開発した新材料のマスクプロセスを構築し、これを研究開発機構であるimec、及びIBM社と共同でウェハ露光試験を行い、ウェハ上で良好な特性を確認しました。

(EUVリソグラフィイメージ図)

(2) EUVマスク後工程(検査、AIMS等)の技術構築、装置選定

EUVマスク後工程とは、EUVマスク製造におけるパターン形成後の工程を指し、検査、修正、欠陥判定、ペリクル着脱などの工程を指します。当社グループでは顧客ニーズや技術、コストを踏まえた装置選定、EUVマスク量産に必要な装置の見極めや欠陥保証技術の開発に取り組んでおります。今期は装置メーカーと次世代フォトマスクに必要な検査機能の開発を行い、成果の一部を国際学会で報告しました。

(3) 光マスク及びEUVマスク向けの要素技術開発

要素技術については、マスク上のパターンを基板上に正確に転写する位置精度向上技術の開発、マスク寸法特性(マスク上のパターンの寸法精度と形状精度)改善技術の開発に取り組んでおります。位置精度向上技術については、位置精度を悪化させる要因の調査・対策検討、膜応力や描画時の帯電、熱の影響を改善する取り組みを実施中であり、マスク寸法特性改善技術については、材料改善や新技術導入による改善手法の開発に取り組んでおります。

(4) ナノインプリントリソグラフィ(Nano-Imprint-Lithography、以下「NIL」という。)

NILは、当社グループがフォトマスク事業で培った微細加工技術の強みを応用可能な技術であり、AR(拡張現実)ヘッドセット、スマートフォンや車載用センサー、医療用画像システムなど様々なアプリケーションへの展開が期待されております。メタレンズのような微細かつ特殊な形状の3Dパターンを作成する場合、従来のフォトリソグラフィ技術を用いることは困難又は非効率とされるところ、NILはナノメートルスケールの複雑な構造体を広い面積にわたって効率的に形成することができる、コストパフォーマンスに優れた量産プロセスであります。
当社グループでは、NILプロセスで要求されるスランテッドやブレイズドといった3D構造マスターモールドの製造プロセスを確立するとともに、モールドのみならず当該モールドを使用したNILプロセスそのものの量産試作ラインの構築に向け、研究開発に取り組んでおります。

当連結会計年度における当社グループ全体の研究開発費は1,238百万円であります。